掩模版及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种掩模版及其制备方法。该掩模版包括基板，所述基板上形成有第一薄膜图形和部分透光薄膜图形，所述部分透光薄膜图形位于所述第一薄膜图形的上方或下方，且所述部分透光薄膜图形以外的区域为完全透光区域。本发明专利技术掩模版可在现有构图掩模版的基础上制得。通过调整曝光设备的实际曝光量，本发明专利技术掩模版即可实现原有构图掩模版的构图功能，也可实现现有ＵＶ掩模版的挡光和透光功能。采用本发明专利技术掩模版制备ＴＦＴ－ＬＣＤ过程中，可实现构图工艺和对盒工艺中所需使用掩模版的复用，因而有利于降低ＴＦＴ－ＬＣＤ的生成成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示技术，特别是涉及一种。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor Liquid CrystalDisplay，简 称TFT-LCD)因其体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前平板显示器市场占据主导地位。 TFT-IXD主要包括对盒设置的彩色滤光片(ColorFilter，简称CF)基板和阵列(Array)基 板，以及在CF基板和阵列基板之间填充的液晶层。在TFT-IXD制造工艺，如阵列基板的制造工艺中，主要是基于掩模版，对基板上已 沉积的薄膜层进行构图处理。掩模版自身形成有预设的图形，其主要作用是通过曝光设备 的曝光处理，将掩模版自身形成的图形等比例复制到基板上(为便于描述，以下将该类掩 模版称为构图掩模版)。根据阵列基板制造过程中使用的构图掩模版个数不同，可将阵列 基板的制造工艺主要分为三次掩模(3ma sk)工艺、四次掩模(4ma sk)工艺和五次掩模 (5ma sk)工艺等。基于上述工艺制备完成阵列基板制备之后，需将阵列基板与CF基板对盒 设置以形成液晶显示面板，其中对盒工艺过程如下在阵列基板的外围区域涂覆封框胶，在 CF基板的显示区域滴入液晶，将阵列基板对盒罩设在CF基板上方，通过紫外曝光固化封框 胶，以贴合阵列基板和CF基板。在对盒工艺通过紫外光固化封框胶的过程中，如果紫外光照射到阵列基板的显示 区域，可能会对显示区域上的部分薄膜的性质产生不良影响。例如当紫外光照射到阵列基 板显示区域的有源层时，由于有源层通常由掺杂半导体(如非晶硅a-Si)形成，外部照射的 光能量可能会激发a-Si产生漏电流，漏电流的产生会影响TFT的开关特性，可能影响对盒 工艺之后液晶显示面板的检测结果；此外，如果外部照射的光能量太强，也有可能对显示区 域中的各薄膜的表面产生不良影响。因此，为了阻挡在固化封框胶的过程中紫外光线照射阵列基板的显示区域，现有 技术针对性的设计了一种具有特定图形的掩模版以阻挡紫外光，该掩模版以下称为UV掩 模版。在固化封框胶的过程中，可在阵列基板的正上方罩设UV掩模版，以阻挡紫外光照射 到阵列基板的显示区域，从而降低因紫外光照射对有源层性能产生不良影响的几率。UV掩模版上形成的图形，要求能够阻挡进入阵列基板的显示区域的光照，同时又 要保证阵列基板上涂覆的封框胶能得到充分的光照，因此，UV掩模版上所需形成的图形，与 阵列基板制备过程中使用的构图掩模版上形成的图形不同。阵列基板制备过程中使用的现 有构图掩模版，不能满足封框胶固化过程中的挡光或透光的要求。因此，现有技术通常需要 另外制作UV掩模版，从而增加TFT-LCD的生产成本。
技术实现思路
本专利技术提供一种，用以在现有构图掩模版的基础上实现UV 掩模版的功能，或者，在现有UV掩模版的基础上实现构图掩模版的功能，从而有利于降低TFT-IXD的生产成本。本专利技术提供了一种掩模版，包括基板，所述基板上形成有第一薄膜图形和部分透 光薄膜图形，所述部分透光薄膜图形位于所述第一薄膜图形的上方或下方，且所述部分透 光薄膜图形以外的区域为完全透光区域。本专利技术还提供了一种掩模版的制备方法，包括在已形成有第一薄膜图形的基板上，沉积部分透光薄膜层；通过构图工艺形成部 分透光薄膜图形，所述部分透光薄膜图形以外的区域为完全透光区域；或者，在已形成有部分透光薄膜图形的基板上，沉积第一薄膜层；通过构图工艺形成第 一薄膜图形，所述部分透光薄膜图形以外的区域为完全透光区域。本专利技术掩模版可在现有构图掩模版或现有UV掩模版的基础上制得。通过调整曝 光设备的实际曝光量，本专利技术掩模版即可实现原有构图掩模版的构图功能，也可实现现有 UV掩模版的挡光和透光功能。采用本专利技术掩模版制备TFT-IXD过程中，由于可实现构图工 艺和对盒工艺中所需使用掩模版的复用，因而有利于降低TFT-IXD的生成成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可 以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术提供的掩模版的结构示意图；图2为图1所示掩模版的A-A，向截面图；图3a为本专利技术掩模版的制备方法实施例一流程图；图3b为本专利技术掩模版的制备方法实施例二流程图；图4a为本专利技术构图工艺第一基板中涂覆光刻胶后的状态示意图；图4b为本专利技术构图工艺中掩模和曝光处理的状态示意图；图4c为本专利技术构图工艺中显影处理后的状态示意图；图4d为本专利技术构图工艺中刻蚀处理后的状态示意图；图4e为本专利技术构图工艺中光刻胶剥离处理后的状态示意图；图5a为本专利技术对盒工艺中在第一基板涂覆封框胶后的状态示意图；图5b为本专利技术对盒工艺中在第一基板和第二基板对盒设置后封框胶固化处理的 状态示意图。附图标记说明1-基板； 2-第一薄膜；3-部分透光薄膜；41-第一基板；42-第二薄膜；43-光刻胶；44 一封框胶；45-第二基板。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本专利技术保护的范围。图1为本专利技术提供的掩模版的结构示意图；图2为图1所示掩模版的A-A’向截 面图。如图1和图2所示，本实施例掩模版包括基板1，基板1上形成第一薄膜图形和部分 透光薄膜图形，第一薄膜图形由有第一薄膜2形成，部分透光薄膜图形由部分透光薄膜3形 成。部分透光薄膜图形覆盖第一薄膜图形，且部分透光薄膜图形覆盖以外的区域为完全透 光区域XI。部分透光薄膜图形中，可采用具有部分透光特性的材料形成部分透光薄膜3，如 选用光透过率为30% 80%的材料，部分透光薄膜可选用CrOx、CrNx、MnOx、MnNx、树脂材 料、硬质赛隆陶瓷材料、MoOx或MoNx等材料制备；部分透光薄膜3的厚度优选为0. 1 μ m 20 μ m。第一薄膜2可由不透光材料组成，可选用Cr、Mn或Mo、或上述金属的合金材料制备。图1和图2所示的技术方案中，基板上形成的部分透光薄膜图形位于第一薄膜图 形的上方，相当于可在具有第一薄膜图形的现有构图掩模版基础上得到本实施例提供的掩 模版。采用本实施例提供的掩模版制备TFT-LCD过程中，由于在对盒工艺封框胶固化过程 中，不需要另外制作UV掩模版以保护阵列基板的显示区域，因而有利于降低TFT-LCD的生 成成本。在上述技术方案的基础上，可得到变形实施例，即基板上形成的部分透光薄膜图 形还可位于第一薄膜图形的下方，该情形相当于可在具有部分透光薄膜图形的现有UV掩 模版基础上得到本专利技术实施例提供的另一掩模版。图3a为本专利技术掩模版的制备方法实施例一流程图。如图3a所示，本实施例掩模 版的制备方法包括步骤11、在已形成有第一薄膜图形的基板上，沉积部分透光薄膜层；步骤12、在步骤11形成的基板上，通过构图工艺形成部分透光薄膜图形，所述部 分透光薄膜图形以外的区域为完全透光区域。上述步骤12中，一次构图工艺可包括光刻胶涂覆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩模版，包括基板，其特征在于，所述基板上形成有第一薄膜图形和部分透光薄膜图形，所述部分透光薄膜图形位于所述第一薄膜图形的上方或下方，且所述部分透光薄膜图形以外的区域为完全透光区域。

【技术特征摘要】
一种掩模版，包括基板，其特征在于，所述基板上形成有第一薄膜图形和部分透光薄膜图形，所述部分透光薄膜图形位于所述第一薄膜图形的上方或下方，且所述部分透光薄膜图形以外的区域为完全透光区域。2.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述第一薄膜图形为用于制备阵列基 板的栅极图形、有源层图形、信号线图形、过孔图形或像素电极图形；所述完全透光区域对 应所述阵列基板上用于涂覆封框胶的区域。3.根据权利要求1或2所述的掩模版，其特征在于，所述部分透光薄膜图形中，部分透 光薄膜的光透过率为30% 80%。4.根据权利要求3所述的掩模版，其特征在于，所述部分透光薄膜为采用以下材料制 备的薄膜Cr0x、CrNx, MnOx, ΜηΝχ、树脂材料、硬质赛隆陶瓷材料、MoOx或MoNx。5.根据权利要求3所述的掩模版，其特征在于，所述部分透光薄膜的厚度为0.1 μ m 20 μ m06.一种掩模版的制备方法，其特征在于，包括在已形成有第一薄膜图形的基板上，沉积部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭建，周伟峰，明星，陈永，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]