一种增加二维图形分辨率的方法技术

本发明专利技术公开了一种增加二维图形分辨率的方法，包括步骤：在原始设计的二维角光掩模版图基础上添加分立型的增补块（ｓｅｒｉｆ），该增补块添加在二维角光掩模图的周围，然后根据主设计图形和增补块图形，进行光刻，得到高分辨率的二维角光刻图形。本发明专利技术通过采用分立型的ｓｅｒｉｆ对二维角的图形进行ＯＰＣ修正，仿真后图形和实际芯片光刻后的图形都较传统ｓｅｒｉｆ仿真及光刻后的图形有明显改善，与设计图形更接近，也满足其设计要求，可用于ＳｉＧｅ　ＢＣＤ等对二维角图形保形性要求较高的工艺中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在集成电路制造中光学临近修正方法，特别是涉及。
技术介绍
在先进光刻工艺中，因曝光图形尺寸的缩小，须对光掩模图形进行预先的光学临 近修正(Optical Proximity Correction，0PC)，来弥补由光学系统的有限分辨率造成的光 学临近效应。传统的规则式光学临近修正中，对二维角的图形采用加增补块(serif)的方 法来增加图形的分辨率(见图2)，使其尽可能的与设计图形保持一致。但因光刻工艺分辨 率的限制，传统seri f图形无法满足一些对二维角图形保形性要求较高的工艺要求(见图 4，6) JnSiGe BCD(SiGe Bipolar-CMOS-DMOS，硅锗双极互补型MOS-双扩散M0S)工艺中，对 发射极窗口工艺中长方形孔要求角上尽可能的方以接近版图设计(见图1)。通常二维角图形保形性要求较高的工艺会采用降低光刻曝光波长的方法，如把 248nm波长的曝光机台换成193nm波长的曝光机台，二维角图形保形性会有所提高，但所付 出的生产成本增加很多。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供，该方法通过 OPC来增加二维角的图形的分辨率，使其尽可能的与设计图形保持一致，可用于SiGe BCD 等对二维角图形保形性要求较高的工艺中。为解决上述技术问题，本专利技术的，包括步骤在原 始设计的二维角光掩模版图基础上添加分立型的增补块(serif)，该增补块添加在二维角 光掩模图的周围，然后根据主设计图形和增补块图形，进行光刻，得到高分辨率的二维角光 刻图形。所述每个分立型的增补块是一种包括2个或2个以上任意形状图形的增补块，其 中，该任意形状图形是分开的、独立存在的，优选的图形个数为3个。所述分立型的增补块中的各个形状图形的独立面积大于0而小于0. 25 μ m2。所述分立型的增补块中的各个图形与主设计图形的距离范围为_0.5μπι +0.5 μ m，负号表示增补块中的图形与主设计图形发生交叠，部分增补块中的图形存在于主 设计图形内部；正号表示增补块中的图形远离主设计图形，不发生交叠。本专利技术有益效果本专利技术是采用一种分立型的增补块(serif)对二维角的图形进行OPC修正(见图 3)，仿真后图形(见图5)和实际芯片光刻后的图形(见图7)都较传统增补块(serif)仿 真及光刻后的图形(见图4，6)有明显改善，与设计图形更接近，也满足其设计要求。附图说明下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明图1是设计版图；图2是传统OPC serif版图；图3是分立型serif版图；图3A是图3中的分立型serif中的图形与主设计图有重叠时的示意图；图4是传统OPC serif仿真图形；图5是分立型serif仿真图形；图6是传统OPC serif光刻后图形；图7是分立型serif光刻后图形。具体实施例方式本专利技术的，包括步骤1)在原始设计版图(图1)基础上额外添加分立型的增补块(serif)，该增补块添 加在二维角光掩模图的周围(如图3)，其中，每个分立型的增补块是由分开的、独立存在的 图形A(正方形)、B (长方形)、C(长方形)组成的，在主设计图的4个角周围各设有一个分 立型的增补块，且图形A、B、C各自的独立面积大于0而小于0. 25 μ m2,图形Α、B、C与主设 计图形的距离分别为dl、d2、d3，且dl、d2、d3的范围为-0.5ym +0.5μπι(按增补块中 的图形与主设计图形最接近点计算)，负号表示图形Α、B、C与主设计图形发生交叠(如图 3Α)，部分图形存在于主设计图形内部；正号表示图形A、B、C远离主设计图形，不发生交叠；2)然后根据主设计图形和增补块图形，进行光刻，得到高分辨率的二维角光刻图 形(图7)。通过采用上述分立型的serif对二维角的图形进行OPC修正，因分立型serif可 以独立设定各自的形状大小，故灵活组合后可满足设计要求，而且，仿真后图形(图5)和实 际芯片光刻后的图形(图7)都较传统serif仿真(图4)及光刻后的图形(图6)有明显 改善，因此，可用于SiGe B⑶等对二维角图形保形性要求较高的工艺中。权利要求，包括步骤在原始设计的二维角光掩模版图基础上添加分立型的增补块，该增补块添加在二维角光掩模图的周围，然后根据主设计图形和增补块图形，进行光刻，得到高分辨率的二维角光刻图形。2.如权利要求1所述的增加二维图形分辨率的方法，其特征在于所述每个分立型的增补块是一种包括2个或2个以上分开的、独立存在的任意形状图形的增补块。3.如权利要求2所述的增加二维图形分辨率的方法，其特征在于所述每个分立型的增补块中的图形个数为3个。4.如权利要求2所述的增加二维图形分辨率的方法，其特征在于所述分立型的增补块中的各个形状图形的独立面积大于0而小于0. 25 μ m2。5.如权利要求2所述的增加二维图形分辨率的方法，其特征在于所述分立型的增补块中的各个图形与主设计图形的距离范围为-0. 5 μ m +0. 5 μ m,负号表示增补块中的图 形与主设计图形发生交叠，部分增补块中的图形存在于主设计图形内部；正号表示增补块 中的图形远离主设计图形，不发生交叠。全文摘要本专利技术公开了，包括步骤在原始设计的二维角光掩模版图基础上添加分立型的增补块(serif)，该增补块添加在二维角光掩模图的周围，然后根据主设计图形和增补块图形，进行光刻，得到高分辨率的二维角光刻图形。本专利技术通过采用分立型的serif对二维角的图形进行OPC修正，仿真后图形和实际芯片光刻后的图形都较传统serif仿真及光刻后的图形有明显改善，与设计图形更接近，也满足其设计要求，可用于SiGe BCD等对二维角图形保形性要求较高的工艺中。文档编号G03F1/36GK101989041SQ20091005768公开日2011年3月23日 申请日期2009年7月30日 优先权日2009年7月30日专利技术者何伟明, 朱治国, 魏芳 申请人:上海华虹Nec电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种增加二维图形分辨率的方法，包括步骤：在原始设计的二维角光掩模版图基础上添加分立型的增补块，该增补块添加在二维角光掩模图的周围，然后根据主设计图形和增补块图形，进行光刻，得到高分辨率的二维角光刻图形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏芳，何伟明，朱治国，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]