【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻技术，特别是。
技术介绍
随着集成电路设计的高速发展，掩模版图的图形尺寸日益缩小，光学邻近效应越 来越明显，即曝光光线穿过掩模版并投射到硅片表面的光刻胶上时，在光刻胶表面所形成 的图案相较于掩模版图形会出现变形和偏差，从而影响在硅片表面所形成的图形，即光刻 图形。参考图1，由于掩模版图110中图案间距过小，在对掩模版图110曝光的过程中，相 邻图案中所透过的曝光光线相互迭加或抵消，使得所获得的对应的光刻图形120中，本不 该有图案的位置出现了图案，产生了桥接。而在其它情况下，还可能出现光刻图形120中本 该有图案的位置，图案却未曝光成功等现象。掩模版图是根据设计图形进行制造的，当设计图形的关键尺寸过小，甚至小于光 刻设备的分辨率时，现有技术通常通过两次曝光来获得所要求的图形。图2至图4分别为 采用现有技术的两次曝光法对设计图形进行曝光的一个具体例子的示意图。具体来说，参考图2，由于设计图形中图案间距d过小，甚至小于光刻设备的分辨 率，首先按照光刻设备的分辨率，将设计图形100拆分成至少两个掩模版图101和102，其 中，掩模版图101的关键尺...
【技术保护点】
一种掩模版图校正方法，包括：对掩模版图进行检查，选出其中间距小于光刻设备分辨率的至少一对掩模版图案对；从每一对掩模版图案对中选出一个掩模版图案，根据旁瓣效应，形成与所述选出的掩模版图案对应的至少两个辅助图案，以替换所述选出的掩模版图案；其中，所述辅助图案的尺寸小于光刻设备分辨率尺寸，且所述辅助图案的中心位于以所述掩模版图案中心为圆心、旁瓣距离为半径的圆周上。
【技术特征摘要】
一种掩模版图校正方法，包括对掩模版图进行检查，选出其中间距小于光刻设备分辨率的至少一对掩模版图案对；从每一对掩模版图案对中选出一个掩模版图案，根据旁瓣效应，形成与所述选出的掩模版图案对应的至少两个辅助图案，以替换所述选出的掩模版图案；其中，所述辅助图案的尺寸小于光刻设备分辨率尺寸，且所述辅助图案的中心位于以所述掩模版图案中心为圆心、旁瓣距离为半径的圆周上。2.如权利要求1所述的掩模版图校正方法，其特征在于，所述从每一对掩模版图案对 中选出一个掩模版图案，根据旁瓣效应，形成与所述选出的掩模版图案对应的至少两个辅 助图案，以替换所述选出的掩模版图案，包括将所述掩模版图案对分离成两组图案的集 合，分别为第一组和第二组，其中，所述第一组中每个图案之间的间距超过分辨率，所述第 二组中每个图案之间的间距也超过分辨率，并且第一组中的任一个图案与第二组图案中的 一个图案相对应，构成所述掩模版图案对；根据旁瓣效应，将第一组中每一个图案以至少两个辅助图案替换，其中，所述辅助图案 的中心位于以所述掩模版图案中心为圆心、旁瓣距离为半径的圆周上。3.如权利要求2所述的掩模版图校正方法，其特征在于，所述将第一组中每一个图案 以至少两个辅助图案替换，包括以第一组中的每个图案为圆心、旁瓣距离为半径，形成圆周；在所述圆周上形成多个任一方向的跨度都小于光刻设备分辨率的辅助图案。4.如权利要求3所述的掩模版图校正方法，其特征在于，所述辅助图案为方形、矩形、 圆形以及不规则形中的一种或多种。5.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴世镇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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