掩膜装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及平板显示器技术领域，尤其涉及一种掩膜装置。掩膜装置包括基板、形成于基板上的掩膜图案及保护层。掩膜图案将基板分为透光区域和遮光区域。保护层设置于基板上且覆盖掩膜图案，其用于保护掩膜图案，防止掩膜图案在清洗过程中被损伤，延长掩膜装置的使用寿命。由于不需顾及掩膜图案，清洗更方便且效率更高，利于减少清洗掩膜装置的时间。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及平板显示器
，尤其涉及一种光刻工艺使用的掩膜装置。
技术介绍
液晶显示器通常包括显示面板和背光源。显示面板包括彩色滤光片、阵列基板以 及设置于彩色滤光片和阵列基板之间的液晶层。而彩色滤光片又包括基板、形成于基板上 的黑矩阵和彩色膜层、保护层及公共电极层。彩色滤光片的黑矩阵和彩色膜层通常采用光 刻工艺形成，以下以黑色矩阵形成为例来详细说明光刻工艺。黑色矩阵的形成首先需在基板上均勻涂布一层黑色树脂光刻胶，并进行预烘烤， 使黑色树脂光刻胶固化。然后，利用一带有光学图案的光刻掩膜板对涂布了黑色树脂光刻 胶的基板进行曝光和显影处理，形成黑色矩阵。由此可知，光刻掩膜板是光刻工艺中必不可 少的一个工具。在进行曝光处理过程中，光刻掩膜板近距离接近覆盖有光刻胶的面板，该光 刻掩膜板靠近光刻胶的部分易沾染光刻胶或光刻胶颗粒物。由于黑色矩阵具有较高的精度 要求，若光刻掩膜板上有颗粒和块状污染，将影响黑色矩阵的精度，甚至出现次品。因此，当 光刻掩膜板上沾有光刻胶或光刻胶颗粒物后，需清洗该光刻掩膜板。光刻掩膜板的清洗通常需经水洗、药洗、浙干、风刀吹干等工序，对于清洗完的光 刻掩膜板还需检验、验证，以确定污染物或颗粒被清除干净。然而如此复杂的清洗工艺，需 耗费大量的时间和精力，影响产品生产的效率，不利于提高产品的产量。另外，在清洗过程 中，清洗工具易损伤光刻掩膜板，降低光刻掩膜板的使用寿命。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种用于光刻工艺且可延长使用寿命及方便清洗的掩模装置。掩膜装置包括基板、形成于基板上的掩膜图案及保护层。掩膜图案将基板分为透 光区域和遮光区域。保护层设置于基板上，并覆盖掩膜图案。本技术提供的掩膜装置中，通过在掩膜装置中增设用于保护掩膜图案的保护 层，防止掩膜图案在清洗过程中被损伤，延长掩膜装置的使用寿命。由于不需顾及掩膜图 案，清洗更方便且效率更高，利于减少清洗掩膜装置的时间。附图说明下面将结合附图及实施例对本技术作进一步说明，附图中图1为本技术提供的掩膜装置的结构示意图。图2A-2C为使用图1所示的掩膜装置制作黑色矩阵的示意图。具体实施方式为了克服传统掩膜装置在使用过程中容易被污染及清洗易损伤等问题，本技术通过在掩膜装置上增设用于保护掩膜装置中的掩膜图案的保护层，防止掩膜图案在清洗 过程中被损伤，延长掩膜装置的使用寿命。由于不需顾及掩膜图案，清洗更方便且效率更 高，利于减少清洗掩膜装置的时间。以下结合说明书附图对本技术提供的掩膜装置进行详细说明。 请参阅图1，掩膜装置100包括基板110、掩膜图案120以及保护层130。基板110 由透明材料如玻璃或树脂制成。掩膜图案120由金属或/和金属氧化物，如铬、氧化铬、氧 化铁、氧化钼等，经溅射沉积工艺形成于基板110的一侧表面上。掩膜图案120将基板110 分成透光区域111和遮光区域113，透光区域111可被紫外光透过，遮光区域113覆盖有掩 膜图案120，可阻止紫外光透过。掩膜图案120的厚度远小于基板110的厚度。保护层130由二氧化硅或Teflon、PET等有机薄膜材料经薄膜沉积或涂布工艺形 成于基板110上，并完全覆盖掩膜图案120，且其厚度大于或等于掩膜图案120的厚度。保 护层130用于保护掩膜图案120，防止掩膜图案120在清洗过程中被损伤，造成后续使用掩 膜装置100生产的产品出现质量问题。在使用掩膜装置100的光刻工艺中，掩膜装置100放置于需要光刻的面板之上，且 保护层130与需要光刻的面板之间的距离保持在50至300微米之间。由于保护层130与 掩膜图案120间的特性差异，使得需要光刻的面板对保护层130的污染减少；同时，在清洗 掩膜装置100的过程中，保护层130保护掩膜图案120不被损伤，可有效延长掩膜装置100 的使用寿命。请参阅图2A至2C，其为使用上述掩膜装置100制作彩色滤光片上的黑色矩阵的示 意图。彩色滤光片200包括玻璃基板210。首先在玻璃基板210的一侧表面均勻涂布黑色 光刻胶层220 (参阅说明书附图2A)。再对涂布了黑色光刻胶层220的玻璃基板210进行预 烘烤，使黑色光刻胶层220预固化。将掩膜装置100放置于玻璃基板210上，使保护层130 与黑色光刻胶层220之间的距离保持在50至300微米之间。然后，将掩膜装置100与玻璃 基板210 —并放置于紫外光环境中，使黑色光刻胶层220上与透光区域111对应的部分曝 光。待曝光充分后，将掩膜装置100和玻璃基板210—并撤出所述紫外光环境，完成曝光工 序(参阅说明书附图2B)。将经过曝光工序的玻璃基板210放置于药剂中进行显影处理，以剥除与遮光区域 113对应部分(即未曝光区域)的黑色光刻胶层220。然后将显影完成的玻璃基板风干或 烘干，完成黑色矩阵的制作(参阅说明书附图2C)。以上为本技术提供的掩膜装置的较佳实施方式，不能理解为对本技术权 利保护范围的限制。本领域的技术人员应该知晓，在不脱离本技术构思的前提下，还可 做多种改进或替换，所有的该等改进或替换都应该在本技术的权利保护范围内，即本 技术的权利保护范围应以权利要求为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜装置，用于光刻工艺中，其包括基板和形成于基板上的掩膜图案，所述掩膜图案将所述基板分为透光区域和遮光区域，其特征在于：掩膜装置至少还包括保护层，所述保护层设置于所述基板上，并覆盖所述掩膜图案。

【技术特征摘要】
一种掩膜装置，用于光刻工艺中，其包括基板和形成于基板上的掩膜图案，所述掩膜图案将所述基板分为透光区域和遮光区域，其特征在于掩膜装置至少还包括保护层，所述保护层设置于所述基板上，并覆盖所述掩膜图案。2.如权利要求1所述的掩膜装置，其特征在于所述掩膜装置放置于需要光刻的面板 表面之上，该保护层正对该面板表面，且该保护层与该面板表面的距离在50至300微米之 间。3.如权利要求1所述的掩膜装置，其特征在于所述掩膜图案由有色金属或金属氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭志勇，陈雄达，王士敏，商陆平，李绍宗，
申请(专利权)人：深圳莱宝高科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]