比较半导体器件的静电放电性能的方法技术

一种比较半导体器件的静电放电性能的方法，包括：收集各组半导体器件所有测试管脚在静电放电测试中的失效电压；对各组半导体器件的失效电压数据进行概率分布统计；基于概率分布，获得各组半导体器件的外推最低电压；若半导体器件的外推最低电压与所述失效电压数据中的最低值的差值小于第一临界范围，则以所述最低值作为待比较值；否则，以所述外推最低电压作为待比较值；比较各组半导体器件；具有较大待比较值，且与另一待比较值间的差值大于或等于第二临界范围的一组半导体器件的静电放电性能较好。否则，两组半导体器件的静电放电性能相近。所述比较半导体器件的静电放电性能的方法，其准确性较高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及可靠性测试领域，特别涉及。
技术介绍
随着半导体器件功能的日趋复杂及尺寸的日趋减小，其所能承受的静电放电 (ESD,Electro Static Discharge)电压的上限值也不断减小。因而，静电放电对半导体器 件产生的潜在损害也越来越严重。为了确保半导体器件在可承受的静电放电下能正常工作，在半导体器件出厂前都 会对其进行严格的静电放电测试，以检测半导体器件的静电放电性能。在对所测试的半导 体器件的静电放电性能进行评估方面，JEDEC在EIA/JESD22-A114-D中提供了相关指导原 则，其规定如下1)收集在静电放电测试中半导体器件所有测试管脚的失效电压；2)选取所有失效电压中的最低值；3)将失效电压的最低值与静电放电的参考值进行比较，当所述最低值大于所述参 考值时，所测试半导体器件通过静电放电测试；否则，半导体器件未通过静电放电测试，需 进行失效分析，以及工艺、静电放电保护设计改进等后续工作。JEDEC提供的相关指导原则较简单易行，且在大多数情况下依据该指导原则都能 获得较准确的检测结果。然而，对于有些批次的半导体器件，其依据JEDEC提供的相关指导 原则本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种比较半导体器件的静电放电性能的方法，其特征在于，包括：收集各组半导体器件所有测试管脚在静电放电测试中的失效电压；对所获得的各组半导体器件的失效电压数据进行概率分布统计；基于所获得的各组半导体器件的失效电压数据的概率分布，获得各组半导体器件的外推最低电压；对于各组半导体器件，若半导体器件的外推最低电压与所获得的失效电压数据中的最低值的差值小于第一临界范围，则以所述最低值作为待比较值；否则，以所述外推最低电压作为待比较值；比较各组半导体器件的待比较值；具有较大待比较值，且与另一待比较值间的差值大于或等于第二临界范围的一组半导体器件的静电放电性能较好。

【技术特征摘要】
一种比较半导体器件的静电放电性能的方法，其特征在于，包括收集各组半导体器件所有测试管脚在静电放电测试中的失效电压；对所获得的各组半导体器件的失效电压数据进行概率分布统计；基于所获得的各组半导体器件的失效电压数据的概率分布，获得各组半导体器件的外推最低电压；对于各组半导体器件，若半导体器件的外推最低电压与所获得的失效电压数据中的最低值的差值小于第一临界范围，则以所述最低值作为待比较值；否则，以所述外推最低电压作为待比较值；比较各组半导体器件的待比较值；具有较大待比较值，且与另一待比较值间的差值大于或等于第二临界范围的一组半导体器件的静电放电性能较好。2.如权利要求1所述的比较半导体器件的静电放电性能的方法，其特征在于，对所获 得的失效电压数据进行概率分布统计，包括基于所获得的失效电压数据绘制概率分布图。3.如权利要求2比较的比较半导体器件的静电放电性能的方法，其特征在于，基于所 获得的失效电压数据绘制概率分布图，包括基于所获得的失效电压数据，对各个测试区间进行累积失效数统计，获得各个测试区 间的累积失效概率；以失效测试的电压区间的中值为横坐标，以累积失效概率为纵坐标，绘制概率分布图。...

【专利技术属性】
技术研发人员：简维廷，杨斯元，张荣哲，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]