温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种比较半导体器件的静电放电性能的方法,包括:收集各组半导体器件所有测试管脚在静电放电测试中的失效电压;对各组半导体器件的失效电压数据进行概率分布统计;基于概率分布,获得各组半导体器件的外推最低电压;若半导体器件的外推最低电压与所述失效电压...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种比较半导体器件的静电放电性能的方法,包括:收集各组半导体器件所有测试管脚在静电放电测试中的失效电压;对各组半导体器件的失效电压数据进行概率分布统计;基于概率分布,获得各组半导体器件的外推最低电压;若半导体器件的外推最低电压与所述失效电压...