氮化物半导体发光器件以及氮化物半导体发光器件的制造方法技术

提供有源层（１７）以使得发射具有４４０ｎｍ至５５０ｎｍ范围的发射波长的光。第一导电类型氮化镓半导体区域（１３）、有源层（１７）和第二导电类型氮化镓半导体区域（１５）沿着预定轴Ａｘ的方向设置。有源层（１７）包括由六方晶系的Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ（０．１６≤ｘ≤０．４，ｘ：应变组分）的阱层，铟组成ｘ由应变组分表示。六方晶系的Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ的ｍ平面沿着预定轴Ａｘ被定向。阱层的厚度在大于３ｎｍ且小于或等于２０ｎｍ之间。使阱层的厚度超过３ｎｍ，能够制造具有发射波长超过４４０ｎｍ的发光器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及氮化物半导体发光器件，并且涉及氮化物半导体发光 器件的制造方法。
技术介绍
在非专利文献l中讨述了发光二极管。发光二极管形成到高电阻率GaN衬底的无位错的m平面上，且具有5个周期的掺杂硅的InGaN/GaN 量子阱结构。InGaN阱层掺杂有Si，且厚度为3 nm。 GaN势垒层为9 nm。 在对于c平面GaN最佳化的生长条件下使氮化镓半导体生长到m平面 上。在环氧树脂封装之后，施加20毫安电流的峰值波长为435 nm，光 输出功率为1.79毫瓦，并且外部量子效率为3.1%。在非专利文献2中讨述了发光二极管。发光二极管形成在低位错m 平面GaN衬底上，GaN衬底的载流子密度为lX10"cm人发光二极管具 有6个周期的InGaN/GaN量子阱结构。InGaN阱层厚度为8 nm。 GaN势 垒层为16nm。生长到m平面上的氮化镓半导体与对于c平面GaN最佳化 的生长条件几乎相同。聚合物封装之后，在施加20毫安电流下的峰值 波长为407 nm，输出功率为23.7毫瓦，且外部量子效率为38.9%。在专利文献l中讨述了具有在GaN (1-100)上提供的IncuGa。.9N有 源本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体发光器件，具有：　第一导电类型氮化镓半导体区域；　第二导电类型氮化镓半导体区域；以及　有源层，提供在所述第一导电类型氮化镓半导体区域和所述第二导电类型氮化镓半导体区域之间，所述有源层被设置成能够发射发射波长 在４４０ｎｍ以上到５５０ｎｍ以下的范围内的光，所述发光器件的特征在于：　所述有源层包括由六方晶系的ＩｎｘＧａ１－ｘＮ构成的阱层，其中０．１６≤ｘ≤０．４，铟组成ｘ：应变组分，　所述阱层的厚度Ｄ大于３ｎｍ，　所述阱层的厚度Ｄ 为２０ｎｍ或更小，　所述厚度Ｄ与铟组成ｘ的关系为ｘ≥－０．１６×Ｄ＋０．８８，　所述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋田胜史，京野孝史，石桥惠二，笠井仁，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]