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提供有源层（１７）以使得发射具有４４０ｎｍ至５５０ｎｍ范围的发射波长的光。第一导电类型氮化镓半导体区域（１３）、有源层（１７）和第二导电类型氮化镓半导体区域（１５）沿着预定轴Ａｘ的方向设置。有源层（１７）包括由六方晶系的Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

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