【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种氮化镓(GaN)为基的III-V族氮化物材料的有机金属气相淀积(MOCVD)外延生长方法，尤其是涉及氮化物多量子发光二极管结构外延片的生长，以及生长p型AlGaN载流子阻挡层生长和掺杂工艺。
技术介绍
目前III-V族氮化物半导体光电材料被誉为第三代半导体材料，以GaN为基础的高亮度发光二极管(Light emitting diode，简称“LED”)在生活中无所不在，随处可见。其应用领域有交通信号灯、手机背光源、大型全彩显示屏、数字显示、城市景观亮化等。随着以氮化物为基础的高亮度LED应用的开发，新一代绿色环保型固体照明光源——氮化物大功率白光LED已成为人们关注的焦点。从传统的小型LED，到实现可以照明的LED灯具，功率型LED是核心的发光光源。功率型LED作为一种高效、环保和新颖的绿色固体光源，具有低电压、低功耗、体积小、重量轻、寿命长、高可靠性等优点，正在迅速发展并得到越来越广泛的应用，也必将大大扩展LED在各种信号显示和照明光源领域的应用。如汽车内外灯、各种交通信号灯、阅读灯、便携式照明光源、各种装饰光源及其它固体光源。目前，以Ga...
【技术保护点】
一种ＭＯＣＶＤ生长氮化物发光二极管结构外延片的方法，它采用ＭＯＣＶＤ技术，利用高纯ＮＨ↓［３］做Ｎ源，高纯Ｈ↓［２］或Ｎ↓［２］或它们的混合气体做载气，三甲基镓或三乙基镓和三甲基铟分别做Ｇａ源和Ｉｎ源，Ｎ型掺杂剂为硅烷，Ｐ型掺杂剂为二茂镁，衬底为（０００１）蓝宝石，反应室压力为１００－５００毫巴；首先，在ＭＯＣＶＤ反应室中把蓝宝石衬底在氢气下高温处理，接着降温生长成核层；其后，升温对成核层进行退火，退火后，在高温下，外延生长ＧａＮ缓冲层，包括非故意掺杂ＧａＮ缓冲层和Ｓｉ掺杂ＧａＮ缓冲层，然后在该缓冲层上外延生长器件结构，先后包括生长ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多量子阱有源层、ｐ型Ａｌ...
【技术特征摘要】
1.一种MOCVD生长氮化物发光二极管结构外延片的方法，它采用MOCVD技术，利用高纯NH3做N源，高纯H2或N2或它们的混合气体做载气，三甲基镓或三乙基镓和三甲基铟分别做Ga源和In源，N型掺杂剂为硅烷，P型掺杂剂为二茂镁，衬底为(0001)蓝宝石，反应室压力为100-500毫巴；首先，在MOCVD反应室中把蓝宝石衬底在氢气下高温处理，接着降温生长成核层；其后，升温对成核层进行退火，退火后，在高温下，外延生长GaN缓冲层，包括非故意掺杂GaN缓冲层和Si掺杂GaN缓冲层，然后在该缓冲层上外延生长器件结构，先后包括生长InGaN/GaN多量子阱有源层、p型AlGaN载流子阻挡层和p型...
【专利技术属性】
技术研发人员：靳彩霞，董志江，黎敏，丁晓民，孙卓，黄素梅，
申请(专利权)人：上海蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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