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本发明公开了一种ＭＯＣＶＤ生长氮化物发光二极管结构外延片的方法，所述的生长ｐ型ＡｌＧａＮ载流子阻挡层采用调制掺杂生长。本发明可以降低外延生长的氮化物发光二极管ＬＥＤ的正向操作电压，提升发光二极管ＬＥＤ的开启电压和增强其反向击穿电压。...
该专利属于上海蓝光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海蓝光科技有限公司授权不得商用。

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