【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，属于多晶硅生产领域。
技术介绍
多晶硅还原是改良西门子法生产多晶硅的重要步骤之一，在多晶硅还原过程中，还原炉内多晶硅沉积的速率直接影响生产成本，提高多晶硅沉积的速率一直是还原生产工 艺研究的重点。目前，多晶硅的还原主要在常压或略高于常压下进行，其沉积速率慢，生产 周期长，所需的能耗高。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种，该方法可以提高多晶 硅的沉积速率。本专利技术为在压力0. 3 0. 6Mpa的还原炉内通入摩尔比为 0. 15 0. 5 1的三氯氢硅和氢气进行还原。进一步的，为了使氢气与三氯氢硅充分反应，所述的三氯氢硅和氢气在通入还原 炉前先混合均勻。进一步的，上述，所述氢气和三氯氢硅在三氯氢硅气化装置中 混合均勻，其中，三氯氢硅气化装置中的压力为0. 5 1. 3Mpa，三氯氢硅气化装置中的压力 大于还原炉的压力，以形成压差，有利于大流量进料。其中，上述氢气和三氯氢硅混合时，氢气通入三氯氢硅气化装置的速度为40 1500Nm3/h，三氯氢硅通入三氯氢硅气化装置的速度为100 3000kg/h。氢气和三氯氢硅通 入三氯氢硅...
【技术保护点】
还原多晶硅的方法，其特征在于：在压力为０．３～０．６Ｍｐａ的还原炉内通入摩尔比为０．１５～０．５∶１的三氯氢硅和氢气进行还原。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：唐前正，张新，赵新征，卢涛，彭卡，李品贤，
申请(专利权)人：乐山乐电天威硅业科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：51[中国|四川]
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