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本发明涉及还原多晶硅的方法，属于多晶硅生产领域。本发明所解决的技术问题是提供了一种还原多晶硅的方法，该方法可以提高多晶硅的沉积速率。本发明还原多晶硅的方法为：在压力０．３～０．６ＭＰａ的还原炉内通入摩尔比为０．１５～０．５∶１的三氯氢硅和氢...
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