一种多晶硅粗馏控制方法技术

本发明专利技术提供一种多晶硅粗馏控制方法，通过调节合成粗馏一级塔的塔釜采出流量来调节合成粗馏一级塔的塔顶塔釜压差和塔釜温度，通过调节合成粗馏一级塔的进料流量来调节合成粗馏一级塔的塔釜温度和塔釜液位，通过调节合成粗馏一级塔的塔釜采出流量来调节合成粗馏一级塔的塔釜温度和塔釜液位，将不同的被控变量与同一操纵变量建立关联关系，从而实现各被控变量之间的关联控制，一个操纵变量发生变化可以引起多个被控变量变化，若其中的一个或多个被控变量不满足工艺要求，则继续调节操纵变量，从而实时控制多晶硅粗馏工艺，整个控制过程实时性高，不存在滞后，控制精度高，降低工艺参数的标准偏差，保证系统平稳运行。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅粗馏控制方法
本专利技术涉及光伏能源
，具体涉及一种多晶硅粗馏控制方法。
技术介绍
多晶硅粗馏是多晶硅生产过程重要环节，主要为多晶硅提供精致原料，其产品为精致三氯氢硅，三氯氢硅的纯度将决定多晶硅的质量。在实际生产控制过程中，存在精馏塔进料组分变化大、精馏塔再沸器加热用蒸汽压力波动不确定性、运行过程中干扰因素多，包括可测干扰与不可测干扰，仪表参数波动大、过程受约束，控制量、被控量间有诸多约束限制等问题。多晶硅粗馏塔由DCS(DistributedControlSystem，分布式控制系统)控制，控制回路主要为单回路、串级控制、分程控制。多晶硅组分分离粗馏工艺流程为：合成得到的氯硅烷混合物首先进入合成粗馏一级塔进行精馏，自塔底分离出四氯化硅及高于四氯化硅沸点的杂质，合成粗馏一级塔塔顶馏分出的三氯氢硅、二氯二氢硅及低沸物杂质直接进入合成粗馏二级塔进行精馏，从合成粗馏二级塔塔顶分离出二氯二氢硅及低沸物馏分，合成粗馏二级塔塔底采出的三氯氢硅进入再沸器加热后进入三氯氢硅产品罐，第二粗镏塔塔顶采用循环冷却水冷却。多晶硅组分分离粗馏工艺的控制方式均采用常规的PID(比例、积分、微分)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅粗馏控制方法，其特征在于，包括：建立操纵变量与被控变量之间的控制模型；所述操纵变量包括：合成粗馏一级塔的蒸汽流量、合成粗馏一级塔的塔顶采出流量、合成粗馏一级塔的塔釜采出流量、合成粗馏一级塔的进料流量、合成粗馏一级塔的塔釜采出流量和合成粗馏一级塔的进料流量；所述被控变量包括：合成粗馏一级塔的塔顶塔釜压差、合成粗馏一级塔的塔釜温度、合成粗馏一级塔的塔釜液位、合成粗馏二级塔的塔顶塔釜压差和合成粗馏二级塔的塔釜液位；根据所述控制模型，依次将合成粗馏一级塔的塔顶塔釜压差、塔釜温度和塔釜液位分别控制在预设的第一阈值范围、第二阈值范围和第三阈值范围内，并依次将合成粗馏二级塔的塔顶塔釜压差和塔釜液位...

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅粗馏控制方法，其特征在于，包括：建立操纵变量与被控变量之间的控制模型；所述操纵变量包括：合成粗馏一级塔的蒸汽流量、合成粗馏一级塔的塔顶采出流量、合成粗馏一级塔的塔釜采出流量、合成粗馏一级塔的进料流量、合成粗馏一级塔的塔釜采出流量和合成粗馏一级塔的进料流量；所述被控变量包括：合成粗馏一级塔的塔顶塔釜压差、合成粗馏一级塔的塔釜温度、合成粗馏一级塔的塔釜液位、合成粗馏二级塔的塔顶塔釜压差和合成粗馏二级塔的塔釜液位；根据所述控制模型，依次将合成粗馏一级塔的塔顶塔釜压差、塔釜温度和塔釜液位分别控制在预设的第一阈值范围、第二阈值范围和第三阈值范围内，并依次将合成粗馏二级塔的塔顶塔釜压差和塔釜液位控制在预设的第四阈值范围和第五阈值范围内；其中，通过调节合成粗馏一级塔的蒸汽流量和/或合成粗馏一级塔的塔顶采出流量，调节合成粗馏一级塔的塔顶塔釜压差；通过调节以下之一或任意组合调节合成粗馏一级塔的塔釜温度：合成粗馏一级塔的塔釜采出流量、合成粗馏一级塔的蒸汽流量、合成粗馏一级塔的进料流量；通过调节合成粗馏一级塔的塔釜采出流量和/或合成粗馏一级塔的进料流量，调节合成粗馏一级塔的塔釜液位。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，合成粗馏一级塔的蒸汽流量的调节优先级高于合成粗馏一级塔的塔顶采出流量的优先级；合成粗馏一级塔的塔釜采出流量的调节优先级高于合成粗馏一级塔的蒸汽流量的调节优先级，合成粗馏一级塔的蒸汽流量的调节优先级高于合成粗馏一级塔的进料流量的调节优先级；合成粗馏一级塔的塔釜采出流量的调节优先级高于合成粗馏一级塔的进料流量的调节优先级。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过调节合成粗馏二级塔的蒸汽流量调节...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞清华，宋永刚，陈鹏，杜家勇，唐杰，高攀，
申请(专利权)人：新特能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：新疆,65