一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法技术

本发明专利技术涉及化合物半导体材料、器件技术领域的一种背栅ＺｎＯ多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法。为了解决现有ＺｎＯ纳米线场效应晶体管工作电流小、与实际应用有较大差距的问题，本发明专利技术提供一种背栅ＺｎＯ多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法，其步骤包括介质生长、背栅电极制作、底层源漏电极制作、使用交流双向介电电泳技术初步固定ＺｎＯ纳米线、使用基于ＡＦＭ的纳米操控技术精确操控ＺｎＯ纳米线、顶层源漏电极制作。本发明专利技术将多根ＺｎＯ纳米线作为并联沟道并悬浮于空中，能够大幅度提高器件的电流、跨导、截止频率等器件性能以及紫外、气体、化学传感性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化合物半导体材料、器件
，具体涉及一种背栅ZnO多纳米线沟道场 效应晶体管的制作方法。
技术介绍
ZnO是目前拥有纳米结构和特性最为丰富的材料，已实现的纳米结构包括纳米线、纳米 带、纳米环、纳米梳、纳米管等等。其中， 一维纳米线由于材料的细微化，比表面积增加， 具有常规体材料所不具备的表面效应、小尺寸效应、量子效应和宏观量子隧道效应，晶体质 量更好，载流子的运输性能更为优越。 一维纳米线不仅可以实现基本的纳米尺度元器件(如 激光器、传感器、场效应晶体管、发光二极管、逻辑线路、自旋电子器件以及量子计算机等 )，而且还能用来连接各种纳米器件，可望在单一纳米线上实现具有复杂功能的电子、光子 及自旋信息处理器件。ZnO纳米线场效应晶体管(Nanowire Field-Effect Transistor,縮写NW FET)已成为 国际研究的热点之一。ZnO—维纳米线作为沟道，与栅氧和栅金属可以形成金属-氧化物-半 导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,縮写MOSFET )。由于ZnO纳米线的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种背栅ＺｎＯ多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法，其制作方法步骤如下：　（１）在衬底上表面生长介质；　（２）在衬底背面制作背栅电极；　（３）在介质上表面制作底层源漏电极；　（４）对ＺｎＯ纳米线进行初步定位；　（ ５）通过纳米操控技术将ＺｎＯ纳米线放置在底层源漏电极上；　（６）在底层源漏电极上制作顶层源漏电极。

【技术特征摘要】
1.一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法，其制作方法步骤如下(1)在衬底上表面生长介质；(2)在衬底背面制作背栅电极；(3)在介质上表面制作底层源漏电极；(4)对ZnO纳米线进行初步定位；(5)通过纳米操控技术将ZnO纳米线放置在底层源漏电极上；(6)在底层源漏电极上制作顶层源漏电极。2.如权利要求l所述的背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法，其特征在于所 述步骤(1)中的介质是在衬底上表面利用射频等离子体增强化学气相沉积技术生长Si02所 得到的栅氧介质。3.如权利要求l所述的背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法，其特征在于所 述步骤(2)中的背栅电极是在衬底背面蒸发金属制得的。4.如权利要求l所述的背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法，其特征在于所 述步骤(3)中的底层源漏电极是通过在介质上表面经过光刻、蒸发、剥离步骤制作电极金 属得到的。5.如权利要求l所述的背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐静波，付晓君，张海英，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]