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本发明涉及化合物半导体材料、器件技术领域的一种背栅ＺｎＯ多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法。为了解决现有ＺｎＯ纳米线场效应晶体管工作电流小、与实际应用有较大差距的问题，本发明提供一种背栅ＺｎＯ多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法，其步骤包括介...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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