可重构的半导体器件制造技术

本发明专利技术公开了一种可重构的半导体器件。所述半导体器件包括衬底、在衬底上形成的第一绝缘材料、具有不同极性的两个沟道、在绝缘材料上形成并且与沟道在其两端共同连接的多个终端电极、在终端电极上形成的第二绝缘材料和在第二绝缘材料上形成的控制栅极。沟道具有不同的极性并且电荷存储层形成在第二绝缘材料内。对控制栅极施加正向偏压或反向偏压并随后截止所述偏压。半导体器件的电压－电流特性根据在电荷存储层中产生的电荷而变化。

【技术实现步骤摘要】

所述技术一般性涉及半导体，并且更具体地涉及可重构的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
目前可获得多种半导体器件。半导体器件通常由通itia入杂质改变它们电特性的材料组成。如果对半导体器件施加电信号，那么该半导体器件将才艮据包含在该半导体器件中的材料的电性能进行可预见的操作。根据半导体材料组分、半导体材料的层结构和操作特性，半导体器件可分为二极管、双极结型晶体管(BJT)或场效应晶体管(FET)。
技术实现思路
本专利技术的一个实施方案涉及一种半导体器件，包括操作栅极；在所述操作栅极上形成的衬底；在所述衬底上形成的第一绝缘层；在所述第一绝缘层的第一平面位置处形成的具有第一极性的第一沟道；在所述第一绝缘层的第二平面位置处形成的具有第二极性的第二沟道；与所述第一沟道和所述第二沟道在其相反两端共同连接的终端电极；在所述沟道和所述终端电极上形成的第二绝缘层；浮置于所述第二绝缘层内并可充有电荷的电荷存储层；和在所述第二绝缘层上形成的至少一个控制栅极。本专利技术的另一实施方案涉及一种半导体器件，包括操作栅极；在所述操作栅极上方形成并且与所述操作栅极绝缘的至少两个沟道；与所述沟道在其相反两端共同连接的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：　　　　操作栅极；　　　　在所述操作栅极上形成的衬底；　　　　在所述衬底上形成的第一绝缘层；　　　　在所述第一绝缘层的第一平面位置处形成的具有第一极性的第一沟道；　　　　在所述第一绝缘层的第二平面位置处形成的具有第二极性的第二沟道；　　　　与所述第一沟道和所述第二沟道在其相反两端共同连接的终端电极；　　　　在所述沟道和所述终端电极上形成的第二绝缘层；　　　　浮置于所述第二绝缘层内并可充有电荷的电荷存储层；和　　　　在所述第二绝缘层上形成的至少一个控制栅极。

【技术特征摘要】
US 2008-8-25 12/197,9611.一种半导体器件，包括操作栅极；在所述操作栅极上形成的衬底；在所述衬底上形成的第一绝缘层；在所述第一绝缘层的第一平面位置处形成的具有第一极性的第一沟道；在所述第一绝缘层的第二平面位置处形成的具有第二极性的第二沟道；与所述第一沟道和所述第二沟道在其相反两端共同连接的终端电极；在所述沟道和所述终端电极上形成的第二绝缘层；浮置于所述第二绝缘层内并可充有电荷的电荷存储层；和在所述第二绝缘层上形成的至少一个控制栅极。2. 根据权利要求i所述的半导体器件，其中所述电荷存储层形成在与所述第一平面位置和所述第二平面位置相对应的位置处。3. 根据权利要求i所述的半导体器件，其中所述第一沟道是p-型掺杂的半导体层，所述第二沟道是n-型掺杂的半导体层。4. 根据权利要求l所述的半导体器件，其中所述第一沟道是p-型掺杂的纳米线，所述第二沟道是n-型掺杂的纳米线。5. 根据权利要求l所述的半导体器件，其中在所述电荷存储层和所述沟道之间形成下绝缘亚层，并且所述下绝缘亚层足够薄使得可以发生遂穿。6. 根据权利要求l所述的半导体器件，其中所述电荷存储层包含多个导电颗粒。7. 根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述导电颗粒是纳米颗粒。8. 根据权利要求l所述的半导体器件，其中对所述控制栅极施加正向偏压或反向偏压以控制所述半导体器件的操作特性。9. 根据权利要求l所述的半导体器件，其中在对所述控制栅极施加正向偏压时，在所述电荷存储层的至少一部分中充有负电荷。10. 根据权利要求l所述的半导体器件，其中在对所述控制栅极施加反向偏压时，在所述电荷存储层的至少一部分中充有正电荷。11. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述控制栅极中的至少一个包括对应于所述第一沟道的第一控制栅极和对应于所述第二沟道的第二控制栅极。12. —种半导体器件，包括操作栅极；在所述操作栅极上方形成并且与所述操作栅极绝缘的至少两个沟道；与所述沟道在其相反两端共同连接的第一终端电极和第二终端电极；邻近所述沟道并且与所述沟道绝缘设置的电荷存储层；和在所述电荷存储层上方形成并且与所述电荷存储层绝缘的至少一个控制栅极，其中所述沟道包括p-型沟道和n-...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪承焄，明圣，许光，
申请(专利权)人：首尔大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]