【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体存储装置，更具体地讲，涉及半导体存 储装置的结构和操作方法，该结构和操作方法用于解决由高集成度而 在单位晶胞中产生的问题。
技术介绍
在由多个半导体器件构成的系统中，半导体存储装置构造成用 于存储在系统中产生或处理过的数据。例如，如果从诸如中央处理单元(CPU)等数据处理器接收到请求，那么半导体存储装置根据与该请求一同传送的地址，将数据从半导体存储装置的单位晶胞输出至数 据处理器、或将该数据处理器所处理的数据存储到单位晶胞中。近来，半导体存储装置的数据存储容量增大，但是半导体存储 装置的尺寸并未成比例增大。因此，半导体存储装置所包括的多个单 位晶胞中的每一个都变小了，并且用于执行读出或写入操作的各种组 件和元件的尺寸也减小了。于是，将在半导体存储装置中非必要地重 复的组件和元件，例如晶体管或导线等进行组合或合并，以减少每个 组件所占的面积。具体地说，由于单位晶胞占用最大的面积之一，因 此半导体存储装置所包括的单位晶胞的尺寸縮小会对集成度的提高 产生影响。图1是示出传统半导体存储装置所包括的单位晶胞的电路图。 具体地说，图1示出易失性存储器...
【技术保护点】
一种半导体存储装置，包括： 单位晶胞，其包括晶体管和用于存储电荷的电容器，所述晶体管的基体是浮接的； 字线，其用于激活所述单位晶胞；以及 位线，其用于将数据传送至所述单位晶胞。
【技术特征摘要】
KR 2008-5-28 10-2008-00498911.一种半导体存储装置，包括单位晶胞，其包括晶体管和用于存储电荷的电容器，所述晶体管的基体是浮接的；字线，其用于激活所述单位晶胞；以及位线，其用于将数据传送至所述单位晶胞。2. 根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，输入的数据被存储在所述电容器和所述基体这两者中。3. 根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中， 所述基体根据由所述位线传递的数据所确定的热载流子的产生来存储空穴。4. 根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中， 当将高于电源电压的电压供应至所述字线时，将通过所述位线传送的数据存储在所述电容器中。5. 根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中， 当在与数据1对应的电压电平的1/3至1/2的范围内的栅极电压施加至所述字线时，所述基体根据与传送至所述位线的数据对应 地确定的热载流子的产生来存储空穴。6. 根据权利要求l所述的半导体存储装置，其中， 当供应低于与数据0对应的电压电平的电压时，连接至所述字线的单位晶胞未激活。7. 根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中， 在不传送数据时，所述位线保持预充电电压电平。8. 根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中， 将电压电平与所述预充电电压相同的电压供应至与所述电容器的一侧连接的板极。9. 根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中，当将与数据1对应的逻辑电平存储在所述单位晶胞中时，所 述晶体管的临界电压降低。10. —种操作半导体存储装置的方法，所述方法包括 响应于写入指令，依次地将数据存储在单位晶胞的电容器以及晶体管的浮体中；响应于读出指令，从所述单位晶胞的电容器和所述浮体中输出数据；以及响应于刷新命令，依次地刷新所述电容器以及所述浮体。11. 根据权利要求IO所述的方法，包括在未选择所述单位晶胞时，在位线上保持预充电电压，并且在 字线上保持非激活电压。12. 根据权利要求11所述的方法，包括将电平与所述预充电电压相同的电压供应至与所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李相敦，李正浩，张太洙，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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