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内置电感集成电路制造技术

技术编号:4242161 阅读:164 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种内置电感集成电路,有金属引线框架、芯片、电感和封装材料,金属引线框架、芯片和电感均设置在封装材料内部。将电感与芯片一起封装,既节约电路面积又节省安装步骤,同时还提高系统集成度,提升性能,降低整体成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子技术中的元器件,是一种集成电路,具体地说,是内置电感集成电路
技术介绍
电感是电子技术中不可缺少的元器件。随着电子产品不断朝小型化、低功耗方向发展的趋势,电子电路同步地朝着高密度、小型化方向发展。目前,电感在电子电路中是以分立器件的形式存在的,不但占用了电路的面积,而且需要单独的安装步骤。集成电路中芯片与封装材料的外周有较大的可利用空间,将电感与芯片一起封装,不但节约电路的面积,而且节省了安装的步骤,同时还提高系统集成度,提升性能,降低整体成本。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种将电感与芯片一起封装,既节约电路面积又节省安装步骤,同时还提高系统集成度,降低整体成本的集成电路。 本专利技术的技术解决方案是 —种内置电感集成电路,有金属弓|线框架、芯片、电感和封装材料,其特征是金属引线框架、芯片和电感均设置在封装材料内部。 电感置于芯片的周围,电感为沿芯片周围摆放的形式,或者是电感线圈环绕芯片放置的形式。电感置于芯片的周围,电感线圈环绕的平面与芯片摆放的平面呈0度至180度之间的任何角度。电感的个数至少为一个;当电感为多个时,电感的连接方法为串联、并联、既有串联又有并联或者各自独立与芯片连接。 内置电感集成电路,其特征是金属引线框架的部分或者整体为使用含3%至15% (重量百分比)硅的硅铝铁合金、含5%至90% (重量百分比)镍的铁镍合金或是含有其他种类的高磁通磁芯粉。 内置电感集成电路,其特征是芯片使用含0.02%至35% (重量百分比)硅及其他掺杂物的硅铜合金或硅铝合金制成金属层冗余。 内置电感集成电路,其特征是封装材料是封装塑料、硅的氧化物及硅酸盐、陶瓷或其他任意一种绝缘材料。内置电感集成电路,其特征是在封装材料外加有金属外壳。 内置电感集成电路,芯片、电感用胶或其它方式固定于金属引线框架上,封装材料密封后对电感起二次绝缘保护的作用。 本专利技术将电感与芯片一起封装,既节约电路的面积,又节省安装的步骤,能提高工作的效率,同时还提高系统集成度,提升性能,降低整体成本。附图说明 附图为本专利技术的一种内置电感集成电路的结构示意图。具体实施例方式—种内置电感集成电路,有金属引线框架1 、芯片2 、电感3和封装材料4,金属引线框架1、芯片2和电感3均设置在封装材料4内部。 电感3置于芯片2的周围,电感3线圈环绕的平面与芯片2摆放的平面呈0度至180度之间的任何角度。 电感3的个数至少为一个;当电感3为多个时(如附图所示),电感3的连接方法为串联、并联、既有串联又有并联或者各自独立与芯片2连接。 电感3为沿芯片2周围摆放的形式(或是电感3线圈环绕芯片2放置的形式)。 封装材料4是封装塑料、硅的氧化物及硅酸盐、陶瓷或其他任意一种绝缘材料。 金属引线框架1的部分或者整体为含3%至15%硅的硅铝铁合金、含5%至90%(重量百分比)镍的铁镍合金或是含有其他种类的高磁通磁芯粉。 芯片2使用含0. 02%至35% (重量百分比)的硅及其他掺杂物的硅铜合金或硅铝合金制成金属层冗余。芯片2、电感3固定于金属引线框架1上。 在封装材料4外还可加有金属外壳。权利要求一种内置电感集成电路,有金属引线框架、芯片、电感和封装材料,其特征是金属引线框架、芯片和电感均设置在封装材料内部。2. 根据权利要求l所述的内置电感集成电路,其特征是电感置于芯片的周围,电感线 圈环绕的平面与芯片摆放的平面呈0度至180度之间的任何角度。3. 根据权利要求1或2所述的内置电感集成电路,其特征是电感的个数至少为一个; 当电感为多个时,电感的连接方法为串联、并联、既有串联又有并联或者各自独立与芯片连 接。4. 根据权利要求2所述的内置电感集成电路,其特征是电感为沿芯片周围摆放的形 式,或者是电感线圈环绕芯片放置的形式。5. 根据权利要求1或2所述的内置电感集成电路,其特征是封装材料是封装塑料、硅 的氧化物及硅酸盐、陶瓷或其他任意一种绝缘材料。6. 根据权利要求5所述的内置电感集成电路,其特征是在封装材料外加有金属外壳。7. 根据权利要求1或2所述的内置电感集成电路,其特征是金属引线框架的部分或者整体为使用含3%至15%硅的硅铝铁合金、5%至90%镍的铁镍合金或是含有其他种类 的高磁通磁芯粉。8. 根据权利要求1或2所述的内置电感集成电路,其特征是芯片使用含0.02%至 35%硅及其他掺杂物的硅铜合金或硅铝合金制成金属层冗余。9. 根据权利要求1或2所述的内置电感集成电路,其特征是芯片、电感固定于金属弓I 线框架上。全文摘要本专利技术公开了一种内置电感集成电路,有金属引线框架、芯片、电感和封装材料,金属引线框架、芯片和电感均设置在封装材料内部。将电感与芯片一起封装,既节约电路面积又节省安装步骤,同时还提高系统集成度,提升性能,降低整体成本。文档编号H01L23/495GK101710583SQ20091023160公开日2010年5月19日 申请日期2009年12月8日 优先权日2009年12月8日专利技术者李 一 申请人:李 一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种内置电感集成电路,有金属引线框架、芯片、电感和封装材料,其特征是:金属引线框架、芯片和电感均设置在封装材料内部。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李一
申请(专利权)人:李一
类型:发明
国别省市:32[中国|江苏]

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