使用三栅极工艺的CMOS图像传感器的方法和结构技术

本发明专利技术提供一种使用三栅极工艺形成ＣＭＯＳ图像传感器的方法，所述方法包括提供具有Ｐ－型杂质特性的包括表面区域的半导体衬底。所述方法在所述表面区域的第一区域中形成第一厚度的二氧化硅，在所述表面区域的第二区域中形成第二厚度的二氧化硅，和在所述表面区域的第三区域中形成第三厚度的二氧化硅。所述方法包括形成覆盖在第二区域上的第一栅极层和覆盖在第三区域上的第二栅极层，同时暴露出第一厚度的二氧化硅的一部分。在所述表面区域的第一区域内的第一厚度的二氧化硅下方的邻近区域内形成Ｎ－型杂质特性，以形成特征为Ｎ－型杂质区域和Ｐ－型衬底的光电二极管器件。本发明专利技术还提供一种使用三栅极工艺的ＣＭＯＳ图像传感器的结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路和制造半导体器件的方法。更具体地，本专利技术 提供用于先进应用的具有降低的暗电流特性的CMOS图像传感器的制 造方法和结构。但是，应认识到本专利技术具有更宽广的应用范围。
技术介绍
集成电路(IC)已经从在硅单片上制造的少量互连器件发展到几百 万个器件。目前的IC提供远远超过原来设想的性能和复杂性。为了实 现在复杂性和电路密度(即，能封装到给定芯片面积上的器件数目)方 面的改进，最小器件特征的尺寸(亦称器件，，几何尺寸")已经随每代IC 变得越来越小。现在制造的半导体器件具有宽度小于1/4微米的特征。增加电路密度不仅提高IC的复杂性和性能，而且为消费者提供更 低成本的部件。IC制造厂可花费数亿甚至数十亿美元。每个制造厂将 具有一定的晶片生产能力，而每个晶片将在其上具有一定数目的IC。 因此，通过使IC的单个器件越小，在每个晶片上可以制造的器件就越 多，从而增加制造厂的产量。使器件更小非常具有挑战性，这是因为IC 制造中使用的每项工艺都具有限制。亦即，给定工艺通常仅能加工小至 一定的特征尺寸，然后需要改变工艺或器件布图。这种限制的例子存在于图像传感器中，特别是消本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成ＣＭＯＳ图像传感器的方法，所述方法包括：　提供具有Ｐ－型杂质特性的包括表面区域的半导体衬底；　在所述表面区域的第一区域中形成第一厚度的二氧化硅；　在所述表面区域的第二区域中形成第二厚度的二氧化硅；　在所述表面 区域的第三区域中形成第三厚度的二氧化硅；　形成覆盖在所述第二区域上的第一栅极层和覆盖在所述第三区域上的第二栅极层，同时暴露出所述第一厚度的二氧化硅的一部分；和　在所述表面区域的第一区域内的第一厚度的二氧化硅下方的邻近区域内形成Ｎ －型杂质特性，以形成特征为Ｎ－型杂质区域和Ｐ－型衬底的光电二极管器件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：霍介光，杨建平，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]