图像传感器的互连方法技术

一种制造ＣＭＯＳ图像传感器器件的方法，所述方法包括提供具有Ｐ型杂质性能的半导体衬底。所述半导体衬底包括表面区域。所述方法形成覆盖所述半导体衬底的第一区域的具有第一厚度的第一介电层。所述方法包括在所述第一介电层下在所述半导体衬底的一部分中提供Ｎ型杂质区域，以促使其特征在于至少的所述Ｎ型杂质区域和所述Ｐ型衬底的光电二极管器件区域的形成。在所述表面区域的第二区域中形成具有第二厚度的第二介电层。在第一介电层的第一厚度内的部分第一区域内形成第二介电层。所述方法形成至少覆盖第二区域的多晶硅栅极层，以形成连接到第二区域的接触元件。

【技术实现步骤摘要】
图4象传感器的互连方法
技术介绍
本专利技术涉及集成电路以及用于制造半导体器件的方法。更具体地，本专利技术提供制造用于高级应用的具有降低的暗电流特征的CMOS图像 传感器器件的方法和结构。但是应认识到本专利技术具有宽广的应用范围。集成电路或"IC"已经从在硅单片上制造的少量互连器件发展到几 百万个器件。目前的IC提供远远超过原来设想的性能和复杂性。为了 实现在复杂性和电路密度(即，能封装到给定芯片面积上的器件数目) 方面的改进，最小器件特征的尺寸(亦称器件几何尺寸)已经随每代IC 变得越来越小。现在制造的半导体器件具有宽度小于1/4微米的特征。增加电路密度不仅提高IC的复杂性和性能，而且为消费者提供更 低成本的部件。IC制造厂可花费数亿甚至数十亿美元。每个制造厂具 有一定的晶片生产能力，而每个晶片在其上具有一定数目的IC。因此， 通过使IC的单个器件越小，在每个晶片上可以制造的器件就越多，从 而增加制造厂的产量。使器件更小非常具有挑战性，这是因为IC制造 中使用的每项工艺都具有限制。亦即，给定工艺通常仅能处理小至一定 的特征尺寸，然后需要改变工艺或器件布图。这些限制的例子是在图像传感器中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造ＣＭＯＳ图像传感器器件的方法，所述方法包括：　提供具有Ｐ型杂质特征的半导体衬底，所述半导体衬底包括表面区域；　形成具有第一厚度的第一介电层，其覆盖所述半导体衬底的第一区域；　在所述第一介电层下的所述半导体衬底的一部 分中提供Ｎ型杂质区域，以促使形成其特征在于至少所述Ｎ型杂质区域和所述Ｐ型衬底的光电二极管器件区域；　在所述表面区域的第二区域中形成具有第二厚度的第二介电层，在所述第一区域的一部分内形成所述第二厚度，所述部分在第一介电层的第一厚度内；　 　形成覆盖至少第二区域的栅极层，以形成连接到所述第二区域的接触元件，所述栅极层包括多晶硅材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨建平，朱虹，霍介光，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]