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一种制造ＣＭＯＳ图像传感器器件的方法，所述方法包括提供具有Ｐ型杂质性能的半导体衬底。所述半导体衬底包括表面区域。所述方法形成覆盖所述半导体衬底的第一区域的具有第一厚度的第一介电层。所述方法包括在所述第一介电层下在所述半导体衬底的一部分中提供...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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