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本发明提供一种使用三栅极工艺形成ＣＭＯＳ图像传感器的方法，所述方法包括提供具有Ｐ－型杂质特性的包括表面区域的半导体衬底。所述方法在所述表面区域的第一区域中形成第一厚度的二氧化硅，在所述表面区域的第二区域中形成第二厚度的二氧化硅，和在所述表面...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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