The invention provides a shared word line split gate flash memory, polysilicon floating gate based on which includes: a semiconductor substrate on which is set between the source region and the drain region; the channel region, located between the source region and the drain region; a first storage unit, located in the ditch the area of the source region and above; second bit storage unit, is located in the channel region and the drain region above; word lines, including the first part and the second part, the first section is located between the first storage unit and a second storage unit, the second part in the first part and above extends to the first storage unit and a storage unit is second bits, wherein the first storage unit and a second storage unit for a polysilicon floating gate. The invention provides a split gate type flash memory, which can effectively reduce the area of the chip while keeping the electrical isolation performance of the chip unchanged, and can also avoid the problem of over erasing.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设计制造领域，的分栅式闪存。且特别涉及一种共享字线的基于多晶硅浮栅
技术介绍
闪存以其便捷，存储密度高，可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研究的热 点。从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展和各类电子产品对 存储的需求，闪存被广泛用于手机，笔记本，掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中，闪 存为一种非易变性存储器，其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制 门极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消 失，而闪存为电可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构。如今闪存已经占据了非 挥发性半导体存储器的大部分市场份额，成为发展最快的非挥发性半导体存储器。 然而现有的闪存在迈向更高存储密度的时候，由于受到编程电压的限制，通过 縮小器件尺寸来提高存储密度将会面临很大的挑战，因而研制高存储密度的闪存是闪存 技术发展的重要推动力。传统的闪存在迈向更高存储密度的时候，由于受到结构的限 制，实现器件的编程电压进一步减小将会面临着很大的挑战。 —般而言，闪存为分栅结构或堆叠栅结构或两种结构的组合。分栅式闪...
【技术保护点】
一种共享字线的基于多晶硅浮栅的分栅式闪存，其特征在于，包括： 半导体衬底，其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域； 沟道区，位于所述源极区域和漏极区域之间； 第一存储位单元，位于所述沟道区与所述源极区域上方； 第二存储位单元，位于所述沟道区与所述漏极区域上方； 字线，包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于第一存储位单元和第二存储位单元之间，所述第二部分位于第一部分上方并向两侧延伸至第一存储位单元和第二存储位单元上方， 其中，所述第一存储位单元和第二存储位单元为多晶硅浮栅。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：曹子贵，孔蔚然，张博，张雄，顾靖，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[]
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