【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池片
,具体涉及一种用于金刚线多晶硅片的自动喷砂装置。
技术介绍
以下对本专利技术的相关技术背景进行说明,但这些说明并不一定构成本专利技术的现有技术。随着我国太阳能产业的快速发展,太阳能电池片的需求量在不断的扩大,如何加工出低成本、高效率的核心原料—硅片成为行业亟待解决的的课题,目前国内太阳能硅片加工方法有以下几种:砂浆线切割单晶硅技术:单晶硅制造成本高、砂浆线切割技术效率低、碎片率高;砂浆线切割多晶硅技术:多晶硅制造成本低、砂浆线切割技术效率低、碎片率高;金刚线切割多晶硅技术:单晶硅制造成本高、金刚线切割技术效率高、碎片率低;黑硅技术:设备成本高、环境污染严重。但是现有的硅片加工技术都存在着成本高、加工效率低、碎片率高、环境污染严重等问题;虽然金刚线切割技术所带来的高效加工率和低碎片率得到了广泛认可,但是低成本的金刚线切割多晶硅片表面过于光滑,并不能用于太阳能电池片的制作,这对金刚线多晶硅技术的应用和推广设置了不可逾越的鸿沟。此外,目前市场上对用于制作太阳能电池片的硅片产能、加工稳定性、加工均匀性等要求高,导致目前市场并没有能够满足要求、并且与高精度喷砂加工中心配套的数控系统。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用于金刚线多晶硅片的自动喷砂装置,能够自动化进行喷砂处理,操作简单,加工精度和加工稳定性高,碎片率低,产能高;采用本专利技术的自动喷砂装置处理之后的硅片能直接进行太阳能电池片的制作,并且性能得到很大提升,扩大了金刚线多晶硅技术的应用范围。根据本专利技术的用于金刚线多晶硅片的自动喷砂装置,包括:启动系统、磨液系统、 ...
【技术保护点】
一种用于金刚线多晶硅片的自动喷砂装置,其特征在于包括:启动系统、磨液系统、喷枪系统、上料系统、工艺仓和控制器;其中,启动系统接收外部输入的操作指令并发送给控制器;上料系统接收到控制器发送的上料信号后,推送金刚线多晶硅片进出工艺仓的喷射区;金刚线多晶硅片进入喷射区后,控制器依据喷枪的位置坐标和移动速度控制喷枪系统将磨液系统中的磨液喷射到金刚线多晶硅片表面;控制器接收所述操作指令,当所述操作信号为喷砂指令时,控制器依据喷砂指令生成上料信号并发送给上料系统;当所述操作信号为喷砂指令时,控制器还用于依据磨液浓度、喷射压力、磨液流量和喷砂厚度查询预设的映射关系,确定喷枪的位置坐标和移动速度。
【技术特征摘要】
1.一种用于金刚线多晶硅片的自动喷砂装置,其特征在于包括:启动系统、磨液系统、喷枪系统、上料系统、工艺仓和控制器;其中,启动系统接收外部输入的操作指令并发送给控制器;上料系统接收到控制器发送的上料信号后,推送金刚线多晶硅片进出工艺仓的喷射区;金刚线多晶硅片进入喷射区后,控制器依据喷枪的位置坐标和移动速度控制喷枪系统将磨液系统中的磨液喷射到金刚线多晶硅片表面;控制器接收所述操作指令,当所述操作信号为喷砂指令时,控制器依据喷砂指令生成上料信号并发送给上料系统;当所述操作信号为喷砂指令时,控制器还用于依据磨液浓度、喷射压力、磨液流量和喷砂厚度查询预设的映射关系,确定喷枪的位置坐标和移动速度。2.如权利要求1所述的自动喷砂装置,其特征在于,喷砂装置的加工深度满足如下关系: H = ρα P / P 0 ( 1 - K L ) 2 V h t N ]]>式中,H为金刚线多晶硅片的加工深度,单位为:um;N为与SiC砂目数有关的系数,N的取值为0.1-100;ρ为与磨液浓度有关的系数,ρ的取值为1-3.22;α为压力系数,α的取值为0.1-100;P为喷枪压力,单位为:MPa;P0为喷枪最小加工压力,单位为:Mpa;K为靶距变换系数,单位为1/mm,K取0-50;L为靶距,单位为:mm;Vh为深度方向基础加工速率,单位为:um/s;t为加工时间,单位为:s。3.如权利要求2所述的自动喷砂装置,其特征在于,控制器进一步用于:...
【专利技术属性】
技术研发人员:李名扬,雷深皓,王猛,华永云,韩震峰,张凯,张金光,陈永胜,
申请(专利权)人:北京创世捷能机器人有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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