The invention provides a mask combination with scattering strip, including the first and second mask mask: mask comprises a first alignment mark, graphics and graphics core is located in the core of next scattering, the minimum width of the scattering imaging size is greater than a light source for the mask combination; second mask including the same template and alignment marks the first mask alignment marks and occlusion graphics; when the two mask alignment mark coincide, completely covering the second core graphics mask graphics can be the first shielding mask, and between the first scattering mask does not overlap. The invention also provides a method for photolithography by using a mask combination with a scattering strip. The invention has the advantages that the mask is improved with a scattering of traditional, increasing the width of the scattering, and the second masks were exposed again, to overcome the small linewidth scattering to the production problems, improve the quality of lithography process.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造领域，尤其涉及带有散射条的掩模版组合及光刻 方法。
技术介绍
光刻技术是集成电路制造领域的关键技术之一。降低集成电路的线宽在很 大程度上依赖于提高光刻的精度，从而可以在半导体衬底上制作更精密的图 形。在光刻工艺进入深亚微米甚至更精细的尺度的情况下，在将图形从光刻版 通过曝光的方法转移到衬底上时，在靠近掩模图形边缘的部分，由于受到光的衍射现象影响会产生条纹。如附图1所示，掩模版101表面包括掩模图形102， 通过曝光的方法将掩模图形102转移到半导体衬底103表面的光刻胶104。由 于掩模图形102对光的遮挡，在光刻胶104中形成光刻图形102'，并且在光刻 图形102'的两侧，由于受到光的衍射现象影响而产生了条纹，进而在光刻图形 102'的两侧形成附加图形102"，此附加图形的产生是不希望看到的现象。如附图2所示，现有技术中，为了消除由于光的衍射而产生的附加图形 102"，通常在掩模图形102两侧制作散射条105(ScatteringBar, SB)。散射条105 对掩模图形102两侧的衍射条纹起到散射的作用，.可以消除衍射条纹，并且散...
【技术保护点】
一种带有散射条的掩模版组合，其特征在于，包括： 第一掩模版，包括对准标记、核心图形和位于核心图形旁边的散射条，所述散射条的宽度大于适用于该光刻版组合的光源的最小成像尺寸； 第二掩模版，包括与第一掩模版的对准标记相同的对准标记、遮 挡图形； 当两块掩模版的对准标记重合时，所述第二掩模版的遮挡图形可以将第一掩模版的核心图形完全覆盖，并且与第一掩模版的散射条之间不发生重合。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王伟斌，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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