防护薄膜组件及其制造方法技术

本发明专利技术目的在于提供一种防护薄膜组件，其具备ＥＵＶ用防护薄膜，该防护薄膜透光性、机械性、化学稳定性优异，且制造良品率高，成本低廉实用。为达成上述目的，本发明专利技术之防护薄膜组件以硅单晶膜为防护薄膜，该硅单晶膜以自属于｛１００｝面群和｛１１１｝面群的其中任一个晶格面倾斜３～５°的晶面为主面。由于以该等晶面为主面的硅单晶，跟＜１００＞方位的硅单晶相比，其有效键结密度或杨氏系数高出４０～５０％左右，故不易发生解理或龟裂等问题。又，耐氢氟酸性等的化学耐性很高而不易发生腐蚀陷斑或孔隙等缺陷。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种防护薄膜组件，以硅单晶膜作为防护薄膜，其特征为：该硅单晶膜的主面为从属于｛１００｝面群以及｛１１１｝面群中的任一个晶格面倾斜３～５°的晶面。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：久保田芳宏，秋山昌次，进藤敏彦，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]