晶片支撑组件制造技术

技术编号:4167171 阅读:174 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种晶片支撑组件,用于物理气相淀积设备中,该组件包括:固定于机台底座上并能够随机台一起升降的基座;支撑部件,包括支撑端和连接端,连接端与基座连接并由基座支撑,支撑端用于支撑晶片;其特征在于,所述连接端与基座活动地连接,当支撑端受到向上的外力作用时,使支撑端能够围绕其与基座的连接处向上转动,当支撑端上没有向上的外力作用时,支撑部件保持水平。这样的组件结构可以保证即使在所放置的晶片偏离的情况下也不使晶片破损。

Wafer support assembly

A wafer support assembly for physical vapor deposition equipment, the assembly includes: fixed on the machine base and the base station can be random with lifting; a support member includes a support end and a connecting end, connecting end is connected with the base and supported by the base, the support end for supporting a wafer; characterized by the connecting end is flexibly connected with the base, when the supporting end to all external force when the supporting end can make connections with the base around its upward rotation, when no external force to support end of the support member, to maintain the level of. Such a component structure ensures that the wafer is not damaged even when the wafer is shifted off.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制程中的设备,特别是涉及物理气相淀积设备中用 的晶片支撑组件
技术介绍
在半导体制程的物理气相淀积过程中,通常用到Endure设备,该设备 包括若干反应室、传输室、缓冲室、装载室以及机械手壁等。例如图l所 示,有两个传输室,分别是第一传输室2a和第二传输室2b,在两个传输 室中各有一个机械手臂5a和5b。在第一传输室2a和第二传输室2b之间 有两个暂时放置晶片和冷却晶片的缓冲室3a和冷却室3b。第一传输室2a 中的第一机械手臂5a主要用于将晶片从缓冲室3a到反应室la,或者从一 个反应室la到另一个反应室lb,或者从一个反应室lb到冷却室3b进行 传输。而第二传输室2b中的第二机械手臂5b用于将晶片从冷却室3b到 装载室4,或者从装载室4到缓冲室3a进行传输。缓冲室3a用于临时放置待工的晶片,而冷却室3b则用于冷却反应室 中来的处于较高温度的晶片,以便传输到下一个工序。在该两个室中设置 有一套用于支撑晶片的支撑组件6,如图2所示。该晶片支撑组件包括 基座61、支撑杆62,其中,基座61固定在机台的圆形底座(图中未示出) 上, 一般基座61底部与机台用螺母固定,整个支撑组件可以随着基台一 起上下移动。支撑杆62与基座61成直角并固定成为一体。图2A 2D是该支撑组件6的工作过程示意图。当机械手臂传输过来一个晶片时,支撑组件6整体上移到刚好接触晶 片,这时机械手臂放下晶片并离开,如图2A所示,放置有晶片的支撑组 件慢慢向下移动,直到晶片与支撑台/冷却台8接触,如图2B所示。但是 有时由于机械手臂的机械故障或者腔体内发生晶片背面压力发生异常从 而导致晶片偏离,当偏离的晶片从机械手臂上放到支撑组件上时,有种可4能的情况如图2C所示,这时很可能是晶片一边搭在支撑组件的支撑杆62 上,而另一边已经与冷却台或支撑台8接触,接着支撑组件慢慢向下移动, 由于晶片的一边已经在一支撑杆的下方,因此支撑组件向下移动到一定程 度就会打到接触冷却台或支撑台的晶片一边,导致晶片破碎。这不仅浪费 了一个晶片,而且由于破碎的晶片破坏了真空环境,因此需要对机台进行 清理,如果该破损晶片是已经过多道工序加工的晶片,那么损失更加严重。
技术实现思路
为了解决上述问题,提出了本专利技术。本专利技术的目的是提供一种晶片支撑组件,即使当晶片由机械手臂放置 于支撑组件上时晶片偏离该支撑组件,该组件也能够保证晶片安全而不破 损。本专利技术为了实现上述目的,将现有技术中固定连接的支撑组件改进为 活动连接,使支撑晶片的部分可在纵向上转动。本专利技术的晶片支撑组件,用于物理气相淀积设备中,该组件包括 基座,固定于机台底座上并能够随机台一起升降;支撑部件,包括支撑端和连接端,连接端与基座连接并由基座支撑,支撑端用于支撑晶片;其特征在于,所述支撑部件的连接端与基座活动地连接,当支撑端受 到向上的外力作用时,使支撑部件的支撑端能够围绕连接端与基座的连接 处向上转动,当支撑部件上没有向上的外力作用时,支撑部件保持水平。 也就是说当支撑部件上支撑有晶片或者支撑部件处于未工作状态时,支撑 部件保持水平。一般基座底部与机台底座用螺母固定,由于机台可以在纵向上下移 动,因此基座与机台一起升降。为了支撑晶片稳定,所述的支撑端呈扁平结构,优选地呈阶梯结构, 包括一略低于连接端面的支撑面,用于放置晶片,和一倾斜面,用于挡止曰ti 曰曰斤o所述基座可以是适宜固定于圆形底座上的任何形状,可以是一个整体 结构,也可以是多个基座,基座整体可以呈环形、多边形,或者单个呈柱5形的多个基座。当基座为环形结构时,较好为比晶片外圈尺寸稍大的圆环形设计。基 座上至少有三个穿槽,以大致均匀的间隔分布在所述圆环形基座上,穿槽 大小与支撑部件的连接端相配合,而且有相应数量的支撑部件分别设置在 所述穿槽中。当基座是柱形结构时,在机台底座的比晶片外圈尺寸稍大的环形区域 上至少包括三个基座和相应数量的支撑部件,基座以大致均匀的间隔分布 在该环形区域上,每个基座上有一个穿槽,穿槽大小与支撑部件的连接端 相配合,以使每个支撑部件的连接端分别容置在一个穿槽中。穿槽的底部可以是径向向外的倾斜底部,倾斜底部的顶部使支撑部件 在支撑有晶片时或处于未工作状态时,使支撑部件保持水平。优选地所述倾斜底部与水平方向的角度为50 70度。穿槽底部还可以是包括一个水平底部和径向向外的倾斜底部,水平底 部在基座与支撑部件连接处垂直对应的底部以内。优选所述倾斜底部相对 于水平底部的倾斜角为35度至60度之间。对于基座与支撑部件的连接方式只要是活动的,可以是使支撑部件围 绕连接处转动的其他任意方式。优选地,所述基座上穿槽的两侧壁上有两个相对的连接孔,所述支撑 部件的连接端上有一连接孔, 一连接部件可以插入这些孔中连接所述支撑 部件和所述基座。其中,所述连接部件可以是螺杆螺母,或销,或其他类 似的部件。也可以是所述的基座上穿槽的两侧壁上有两个相对的连接孔,所述支 撑部件的连接端的两侧上各有一个轴状物或杆状物,可插入所述连接孔中 使支撑部件转动。支撑部件的连接端上的连接孔可以是与基座上的连接孔配合的使螺 杆、销、轴等插入的孔的任何形式,优选地,该孔是圆形孔。所述的基座上穿槽两侧壁上的连接孔可以是与支撑部件上的连接孔 配合的使螺杆、销、轴等插入的孔的任何形式,优选地,该孔是圆形孔, 或者更优选是椭圆形长孔。当该孔是椭圆形长孔时,可以通过调节连接部 件在孔中的位置来调节支撑端可支撑晶片的大小,以适用于不同尺寸的晶6片,如200mm或300mm晶片。根据本专利技术,较好是在支撑杆的支撑端底部还可以粘贴有一个软垫, 以在支撑端向下移动接触晶片时进一步保护晶片。根据本专利技术的支撑组件与现有技术的支撑组件的区别主要在于,支撑 部件与基座之间的连接关系由固定连接方式改进为活动连接方式,即通过 支撑部件的连接端与基座是活动连接,使支撑部件的支撑端在纵向上进行 枢轴地活动或转动。因此,即使在晶片偏离的情况,当支撑端向下移动到 接触晶片时,即转而向上转动,因此可以保证不使晶片破损。这样,不仅 可以节省大量待工晶片,也可以保证已经过部分工序加工的晶片的安全, 显著降低了过去由于晶片破损造成的浪费,而且也保证了机台的有效工作 时间,减少了中断工作造成的损失。附图说明下面结合附图详细介绍本专利技术,其中附图表示本专利技术的典型实施例, 是构成本专利技术的一部分,但是这些附图不构成对本专利技术的任何限制,还可 以有其他等效实施例。图1是可以设置晶片支撑组件的一种物理气相淀积反应系统的示意图。图2A 2D是表示现有技术的晶片支撑组件工作过程的示意图。图3A是本专利技术的一个具体实施方式的晶片支撑组件的活动状态示意图。图3B是本专利技术的另一个具体实施方式的晶片支撑组件的主视图和支 撑部件的单独主视图。图3C是图3B所示的晶片支撑组件中左面部分(一个基座和一个支撑 部件组装在一起)的俯视图。图3D是图3B所示的晶片支撑组件中左面部分(一个基座和一个支撑 部件组装在一起)的仰视图。图3E是图3D中基座部分的右侧视图。图3F是图3D中基座部分的左侧视图。图3G是图3D中基座部分的剖视图。图3H是图3G的一种变化的形式。图4A 4B是本专利技术的晶片支撑架在缓冲室3a中的工作过程示意图。 图5A 5本文档来自技高网
...

【技术保护点】
一种晶片支撑组件,用于物理气相淀积设备中,包括: 基座,固定于机台底座上并能够随机台一起升降; 支撑部件,包括支撑端和连接端,连接端与基座连接并由基座支撑,支撑端用来支撑晶片; 其特征在于,所述支撑部件的连接端与基座活动地 连接,当支撑端受到向上的外力作用时,使支撑端能够围绕支撑部件与基座的连接处向上转动,当支撑部件上没有向上的外力作用时,支撑部件保持水平。

【技术特征摘要】
1.一种晶片支撑组件,用于物理气相淀积设备中,包括基座,固定于机台底座上并能够随机台一起升降;支撑部件,包括支撑端和连接端,连接端与基座连接并由基座支撑,支撑端用来支撑晶片;其特征在于,所述支撑部件的连接端与基座活动地连接,当支撑端受到向上的外力作用时,使支撑端能够围绕支撑部件与基座的连接处向上转动,当支撑部件上没有向上的外力作用时,支撑部件保持水平。2. 根据权利要求l所述的支撑组件,其特征在于,所述的基座底部与 机台底座用螺母固定。3. 根据权利要求l所述的晶片支撑组件,其特征在于,所述的支撑端 包括一支撑面,用于放置晶片,以及一倾斜面,用于挡止晶片。4. 根据权利要求l所述的晶片支撑组件,其特征在于,所述基座为环 形结构或柱形结构。5. 根据权利要求4所述的晶片支撑组件,其特征在于,所述的基座上 有至少三个穿槽,以大致均匀的间隔分布在所述环形基座上,而且有相应 数量的支撑部件分别设置在所述穿槽中。6. 根据权利要求5所述的晶片支撑组件,其特征在于,所述的基座上 穿槽的两侧壁上有两个相对的连接孔,所述支撑部件的连接端的两侧上各 有一个轴状物或杆状物,插入所述连接孔中后,当有向上的外力作用于支 撑端时,支撑端能够转动。7. 根据权利要求l所述的晶片支撑组件,其特征在于,当基座为柱形 结构时,该支撑组件至少包括三个基座和相应数量的支撑部件,基座以大 致均匀的间隔分布在机台底座上比晶片外圈尺寸...

【专利技术属性】
技术研发人员:曾玉帆黎东明边逸军陈亮
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1