射频磁控溅射制备铝酸镧薄膜的方法技术

本发明专利技术公开利用射频磁控溅射技术制备高质量的非晶态ＬａＡｌＯ↓［３］薄膜的方法。在室温（２７～３７℃）真空条件下，以ＬａＡｌＯ↓［３］单晶圆盘为靶材，采用射频磁控溅射技术将ＬａＡｌＯ↓［３］溅射在事先清洗过的基片上（包括硅、石英以及导电玻璃基片等），然后在６００～８００℃氧气氛中退火处理６０～１２０ｍｉｎ。采用射频磁控溅射技术可以制备高质量的绝缘ＬａＡｌＯ↓［３］薄膜，并且通过控制溅射时间可以生长不同厚度的薄膜。本发明专利技术制备的ＬａＡｌＯ↓［３］薄膜表面及界面均匀平整，在可见光和红外光区域透光性能良好，最大透光率超过９０％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于铝酸镧薄膜物理制备工艺
，特别涉及一种采用射频磁控 溅射法在室温条件下制备高质量的非晶态LaA103薄膜的方法。二
技术介绍
LaA103在常温下可以近似看成是钙钛矿结构，介电常数~25,带隙 5eV,熔 点高达2100°C，与Si基晶格匹配好同时热稳定性好，由此带来许多优异的介电 及光电性能，近年来LaA103薄膜在高温微波超导电子器件、金属氧化物半导体(MOS)器件、蓄光型发光显示器件等方面有着巨大的现实及潜在的应用前景， 因此迅速引起了人们的关注。目前LaAl03薄膜的制备主要包括以下几种方法金属有机化学气相沉积法(MOCVD),脉冲激光沉积法(PLD),分子束外延法(MBE),溶胶-凝月交 法(Sol - Gel)等。上述技术制备LaA103薄膜一般考虑得到晶体膜，对衬底温度 要求较高，合成温度一般在600~1000°C,众所周知在500。C附近，LaA103会发生 三方相-立方相的转变，这一相变过程会导致材料结构质量的下降，出现表面和 界面粗糙度严重增加的现象，另外高温下制备薄膜既加大了生产工艺的复杂性又 增加了生产成本，这些都严重限制了 LaA103本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频磁控溅射制备铝酸镧薄膜的方法，其特征在于制备步骤为：　ａ．采用标准半导体清洗工艺对基片进行清洗并在通入Ｎ↓［２］的退火炉中进行烘干；　ｂ．将烘干后的基片放入磁控溅射仪的真空室中，以单晶ＬａＡｌＯ↓［３］为靶材，通入溅射气体Ａｒ， 流量大小通过气体流量计控制在２０～１００ｓｃｃｍ，在０．１～０．９Ｐａ压强下，进行薄膜的溅射；　ｃ．将溅射后的基片在６００～８００℃氧气氛中退火处理６０～１００ｍｉｎ，得到非晶铝酸镧薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种射频磁控溅射制备铝酸镧薄膜的方法，其特征在于制备步骤为a.采用标准半导体清洗工艺对基片进行清洗并在通入N2的退火炉中进行烘干；b.将烘干后的基片放入磁控溅射仪的真空室中，以单晶LaAlO3为靶材，通入溅射气体Ar，流量大小通过气体流量计控制在20～100sccm，在0.1～0.9Pa压强下，进行薄膜的溅射；c.将溅射后的基片在600～800℃氧气氛中退火处理60～100m...

【专利技术属性】
技术研发人员：王东生，于涛，游彪，胡安，
申请(专利权)人：南京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]