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本发明公开利用射频磁控溅射技术制备高质量的非晶态ＬａＡｌＯ↓［３］薄膜的方法。在室温（２７～３７℃）真空条件下，以ＬａＡｌＯ↓［３］单晶圆盘为靶材，采用射频磁控溅射技术将ＬａＡｌＯ↓［３］溅射在事先清洗过的基片上（包括硅、石英以及导电玻璃基...
该专利属于南京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京航空航天大学授权不得商用。

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