半导体器件的金属互连的制造方法技术

一种半导体器件的金属互连的制造方法，包括：在半导体衬底上方形成包含接触插塞的层间介电层，在层间介电层上方形成金属层、硬掩模层和抗反射层；在抗反射层上方形成光致抗蚀剂图案，使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，在第一次蚀刻工艺中蚀刻抗反射层，以形成抗反射图案；使用第一次蚀刻工艺中生成的聚合物，在抗反射图案和光致抗蚀剂图案的表面上方形成第一聚合物层；使用抗反射图案、光致抗蚀剂图案和第一聚合物层作为蚀刻掩模，在第二次蚀刻工艺中蚀刻硬掩模层以形成硬掩模；使用光致抗蚀剂图案、抗反射图案、第一聚合物层和硬掩模作为蚀刻掩模，在第三次蚀刻工艺中蚀刻金属层以形成金属互连。在抗反射图案和光致抗蚀剂图案的表面上方形成第一聚合物层，使得抗反射图案的设计尺度通过经由第一次蚀刻工艺生成的聚合物而确定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
为了制造半导体器件，需要用到金属互连工艺。金属互连具有诸如电路连接、电路 匹配和信号相位改变等多种功能。根据应用领域，金属互连有着各种不同的大小和形状。 图像传感器是高度集成并被制造成小型尺寸的半导体器件。随着时间的推移，图 像传感器的设计尺度(design rule)已逐渐减小。因此，金属互连的长宽比已有增加。通 过首先形成金属层，在金属层上方形成光致抗蚀剂图案，然后再选择性地蚀刻该金属层，从 而形成所述金属互连。 然而，当在较小的图像传感器件中形成多个金属互连时，在蚀刻工艺中采用光致抗蚀剂图案作为掩模就有其局限性。因此，在金属互连层的上方会采用硬掩模。 在金属互连层上方形成硬掩模层和光致抗蚀剂图案后，根据光致抗蚀剂图案和硬掩模层之间的选择性而对硬掩模层进行图案化。然后，通过使用硬掩模来蚀刻金属互连层，从而形成该金属互连。 金属互连的设计尺度和表面分布可根据硬掩模的表面分布和在该硬掩模上方形 成的光致抗蚀剂图案来确定。这是因为聚合物(其生成于在使用光致抗蚀剂图案形成硬掩 模时)会在硬掩模的侧壁上方或光致抗蚀剂图案的上表面上方沉淀。通过随后的工艺，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，其包括如下步骤：在半导体衬底上方形成包含接触插塞的层间介电层；在该层间介电层上方形成金属层、硬掩模层和抗反射层；在该抗反射层上方形成光致抗蚀剂图案；使用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，在第一次蚀刻工艺中蚀刻该抗反射层，以形成抗反射图案；通过使用在第一次蚀刻工艺中生成的聚合物，在该抗反射图案和该光致抗蚀剂图案的表面上方形成第一聚合物层；通过使用该抗反射图案、该光致抗蚀剂图案和该第一聚合物层作为蚀刻掩模，在第二次蚀刻工艺中蚀刻该硬掩模层，以形成硬掩模；以及通过使用该光致抗蚀剂图案、该抗反射图案、该第一聚合物层和该硬掩模作为蚀刻掩模，在第三次蚀刻工艺中蚀刻该金属层，以形成金属互连。

【技术特征摘要】
KR 2008-9-30 10-2008-0096058一种方法，其包括如下步骤在半导体衬底上方形成包含接触插塞的层间介电层；在该层间介电层上方形成金属层、硬掩模层和抗反射层；在该抗反射层上方形成光致抗蚀剂图案；使用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，在第一次蚀刻工艺中蚀刻该抗反射层，以形成抗反射图案；通过使用在第一次蚀刻工艺中生成的聚合物，在该抗反射图案和该光致抗蚀剂图案的表面上方形成第一聚合物层；通过使用该抗反射图案、该光致抗蚀剂图案和该第一聚合物层作为蚀刻掩模，在第二次蚀刻工艺中蚀刻该硬掩模层，以形成硬掩模；以及通过使用该光致抗蚀剂图案、该抗反射图案、该第一聚合物层和该硬掩模作为蚀刻掩模，在第三次蚀刻工艺中蚀刻该金属层，以形成金属互连。2. 根据权利要求1所述的方法，其包括如下步骤通过使用在第二次蚀刻工艺中生成 的聚合物，在该第一聚合物层和该硬掩模的表面上方形成第二聚合物层。3. 根据权利要求1所述的方法，其中，在第一次蚀刻工艺中使用CF4、 02和Ar。4. 根据权利要求3所述的方法，其中，提供CF4的范围为65sccm至95sccm，提供02的 范围为9sccm至1...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹基准，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]