图像传感器的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器的制造方法，该方法将通过光产生的电子的消失减到最少，而不将这些电子传输到转移栅极。该方法包括：在半导体衬底的隔离区中形成沟槽，以限定包括光电二极管区和晶体管区的有源区，在所述光电二极管区的沟槽侧壁处以及在与所述晶体管区相邻的区域中形成第一导电型离子注入区，在所述第一导电型离子注入区与所述沟槽之间以及在所述晶体管区的下部与所述第一导电型离子注入区之间，形成第二导电型离子注入区，用绝缘膜填充所述沟槽来形成隔离层，在所述晶体管区中形成栅电极和间隔件，以及在所述光电二极管区中形成光电二极管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种CMOS图像传感器，尤其涉及一种CMOS，该 方法使通过光产生的电子的消失减到最少，而不将电子传输到转移栅极。
技术介绍
通常，图像传感器是将光学图像转变成电信号的半导体器件。图像传感器可被划 分为电荷耦合器件(CCD)图像传感器和互补型金属氧化物硅(complementary metal oxide silicon, CMOS)图像传感器。CCD具有各个M0S电容器彼此相邻设置的结构，并且在CCD中， 电荷载体(charge carrier)存储于M0S电容器中，然后被传输到位于M0S电容器后部的 另一个M0S电容器中。上述CCD具有诸如驱动方法复杂、功耗高以及由于光刻工艺(photo process)的多个步骤使得制造工艺复杂之类的缺点。此外，由于难以将控制电路、信号处理 电路和A/D转换器电路集成在CCD芯片中，因此该CCD使产品小型化变得困难。 近来，为了克服CCD的缺点，CMOS图像传感器成为了众所瞩目的中心。CMOS图像 传感器使用切换方式，其中与单位像素的数量相对应的M0S晶体管通过CMOS技术形成于半 导体衬底上，其中控制电路和信号处理电路用作外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣＭＯＳ图像传感器的制造方法，包括如下步骤：在半导体衬底的隔离区中形成沟槽，以限定包括光电二极管区和晶体管区的有源区；在所述光电二极管区的沟槽侧壁处以及在与所述晶体管区相邻的区域中形成第一导电型离子注入区；在所述第一导电型离子注入区与所述沟槽之间以及在所述晶体管区的下部与所述第一导电型离子注入区之间，形成第二导电型离子注入区；用绝缘膜填充所述沟槽来形成隔离层；在所述晶体管区中形成栅电极和间隔件；以及在所述光电二极管区中形成光电二极管。

【技术特征摘要】
KR 2008-10-6 10-2008-0097673一种CMOS图像传感器的制造方法，包括如下步骤在半导体衬底的隔离区中形成沟槽，以限定包括光电二极管区和晶体管区的有源区；在所述光电二极管区的沟槽侧壁处以及在与所述晶体管区相邻的区域中形成第一导电型离子注入区；在所述第一导电型离子注入区与所述沟槽之间以及在所述晶体管区的下部与所述第一导电型离子注入区之间，形成第二导电型离子注入区；用绝缘膜填充所述沟槽来形成隔离层；在所述晶体管区中形成栅电极和间隔件；以及在所述光电二极管区中形成光电二极管。2. 根据权利要求1所述的方法，其中在与所述晶体管区相邻的区域中形成所述第一导 电型离子注入区的步骤中，所述第一导电型离子注入区形成在所述栅电极的所述间隔件之 下。3. 根据权利要求1所述的方法，其中在所述晶体管区的下部与所述第一导电型离子注 入区之间形成所述第二导电型离子注入区的步骤中，所述第二导电型离子注入...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴志焕，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]