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本发明公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器的制造方法，该方法将通过光产生的电子的消失减到最少，而不将这些电子传输到转移栅极。该方法包括：在半导体衬底的隔离区中形成沟槽，以限定包括光电二极管区和晶体管区的有源区，在所述光电二极管区的沟槽侧壁处以及在与...
该专利属于东部高科股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部高科股份有限公司授权不得商用。

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