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一种半导体器件的金属互连的制造方法，包括：在半导体衬底上方形成包含接触插塞的层间介电层，在层间介电层上方形成金属层、硬掩模层和抗反射层；在抗反射层上方形成光致抗蚀剂图案，使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，在第一次蚀刻工艺中蚀刻抗反射层，以形成...
该专利属于东部高科股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部高科股份有限公司授权不得商用。

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