一种构造低介电常数介质材料表面形貌的方法技术

本发明专利技术属于微电子技术领域，具体为一种构造低介电常数介质材料表面形貌图的方法。本发明专利技术利用纳米压印技术直接压印加工低介电常数介质材料，实现该介质材料的表面图形化，以便在集成电路互连制造工艺中应用。相比于传统光刻、刻蚀技术实现介质材料图形化的方法而言，采用本发明专利技术的图形化技术，简化了互连制造工艺步骤，大大地降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子
，具体涉及一种构造互连工艺中低介电常数介质材料 表面形貌的方法。
技术介绍
随着超大规模集成电路的发展，多层布线已成必须，并成为确定集成电路性能和 成本的重要因素之一。为了减小互连线的RC，采用低介电常数介质材料是提高性能的有效 途径之一。旋涂玻璃法，简称S0G，是现在最普遍被采用的一种局部性的平坦化技术。它是 一种把溶于溶剂的介电材料，以旋涂的方式涂于晶圆上，因此成为相当方便的技术，且填沟 能力也很不错。因此许多的SOG供应厂商为了提供低介电常数的SOG材料，已不断研发出 像 HSQ(Hydrogen silesquioxane)和 MSQ(Methylsequioxane)等聚合物材料，其最小介电 常数值约2. 6 2. 8，已经广泛的被应用于先进的半导体互连制造工艺中。传统的互连制造工艺对介质材料的表面形貌图形化主要靠光刻和刻蚀工艺来完 成，工艺步骤较多，成本相对较高。举例来说，在集成电路应用最广泛的双大马士革工艺，对 于低介电常数材料的形貌图形化需要先进行一次光刻和刻蚀沟道，再进行光刻和刻蚀通孔 才完成。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种构造低介电常数介质材料表面形貌的方法，其特征在于具体步骤如下：（１）在衬底上淀积低介电常数介质材料薄膜；（２）用表面具有一定形貌图形的压印模具压印低介电常数介质材料薄膜；在薄膜上得到图形形貌；（３）对所压印的介质材料进行薄膜固化成型。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈臻魁，宗兆翔，刘冉，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]