【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉参考本专利技术要求于2009年3月23日申请的韩国专利申请第10-2009-0024475号的优 先权，其内容全部以引用的方式并入本文中。
技术介绍
本专利技术涉及一种半导体装置，且更具体地，涉及一种具有垂直晶体管的半导体装 置及其制造方法。在次60nm(sub-60nm) DRAM工艺中，需要形成垂直晶体管以增加内存单元中的晶 体管的集成密度，从而简化制造工艺且改良装置特性。垂直晶体管包括作用柱(active pillar)及围绕该作用柱的垂直栅极。由于该垂直栅极，晶体管的通道垂直地形成。通常，作用柱具有颈部柱及顶部柱，且栅极围绕该颈部柱。然而，颈部柱的支撑力 较弱，以使得该作用柱可能在后续工艺中崩陷。为解决颈部柱结构的限制，已提出形成无颈 部作用柱的方法。图1A及图1B示出了用于制造具有垂直晶体管的半导体装置的传统方法的截面 图。参看图1A，通过将衬垫层13用作蚀刻阻挡物而蚀刻基板11来形成无颈部作用柱12。 衬垫层13为堆叠衬垫氧化物层13A及衬垫氮化物层13B的层。沟道区域12A及漏极区域 12B被限定于作用柱12中。埋入式位线(BBL) 14通过...
【技术保护点】
一种半导体装置，其包含：多个作用柱；围绕所述作用柱的侧壁的多个垂直栅极；具有其表面高于所述作用柱的露出侧壁且将相邻的所述垂直栅极连接在一起的多条字线；以及在所述垂直栅极上方且围绕所述字线的所述露出侧壁的多个间隔物。
【技术特征摘要】
KR 2009-3-23 10-2009-0024475一种半导体装置，其包含多个作用柱；围绕所述作用柱的侧壁的多个垂直栅极；具有其表面高于所述作用柱的露出侧壁且将相邻的所述垂直栅极连接在一起的多条字线；以及在所述垂直栅极上方且围绕所述字线的所述露出侧壁的多个间隔物。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述间隔物包含氮化物层。3.如权利要求1所述的半导体装置，其进一步包含在所述作用柱之间埋入在基板内且 由沟槽分离的多条埋入式位线。4.如权利要求3所述的半导体装置，其进一步包含在所述埋入式位线上方的硅化物。5.一种半导体装置，其包含 多个第一作用柱；围绕所述第一作用柱的侧壁的多个垂直栅极；具有其表面高于所述第一作用柱的露出侧壁且将相邻的所述垂直栅极连接在一起的 多条字线；在所述垂直栅极上方且围绕所述字线的所述露出侧壁的多个间隔物；以及 形成于所述第一作用柱上方的多个第二作用柱。6.如权利要求5所述的半导体装置，其中所述第二作用柱包含外延层。7.如权利要求5所述的半导体装置，其中所述间隔物包含氮化物层。8.如权利要求5所述的半导体装置，其进一步包含在所述第一作用柱之间埋入在基板 内且由沟槽分离的多条埋入式位线。9.如权利要求8所述的半导体装置，其进一步包含在所述埋入式位线上方的硅化物。10.一种用于制造半导体装置的方法，所述方法包含 蚀刻基板以形成多个第一作用柱；形成围绕所述第一作用柱的侧壁的多个栅极导电层； 形成埋入于所述栅极导电层之间以连接相邻的所述栅极导电层的多条字线； 通过蚀刻所述栅极导电层的上部部分以部分地露出所述字线的侧壁而形成多个垂直 栅极；以及在所述第一作用柱上方生长多个第二作用柱。11.如权利要求10所述的方法，其进一步包含在形成所述第二作用柱之前，形成在所 述垂直栅极上方且围绕所述字线的所述露出侧壁的多个间隔物。12.如权利要求11所述的方法，其中通过沉积氮化物层且回蚀所述所沉积的氮化物层 而形成所述间隔物。13.如权利要求10所述的方法，其中所述第二作用柱通过外延生长工艺来形成。14.如权利要求11所述的方法，其中生长所述多个第二作用柱包含 在包括所述间隔物的所得结构上方形成层间介电层；通过蚀刻所述层间介电层而形成露出所述第一作用柱的表面的多个接触孔以使得所 述接触孔在所述间隔物中自对准；以及通过外延生长工艺在所述接触孔内形成所述第二作用柱。15.如权利要求13所述的方法，其中使用选择性外延生长(SEG)工艺或固相外延 (SPE)工艺来执行所述外延生长工艺。16.如权利要求10所述的方法，其中所述垂直栅极通过干蚀刻或湿蚀刻所述栅极导电 层以使得所述垂直栅极低于所述第一作用柱的表面而形成。17.如权利要求10所述的方法，其进一步包含，在形成所述栅极导电层之前 形成覆盖所述第一作用柱的所述侧壁的牺牲间隔物；通过掺杂离子注入在所述基板内形成埋入式位线；以及 移除所述牺牲间隔物。18.如权利要求17所述的方法，其进一步包含在所述埋入式位线上方形成硅化物。19.如权利要求17所述的方法，其进一步包含，在形成所述多条字线之前，形成沟槽以 分离所述埋入式位线。20.一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：辛钟汉，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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