【技术实现步骤摘要】
本公开内容涉及。
技术介绍
图像传感器是用于将光学图像转化为电信号的半导体器件。图像传感器可大致分 为电荷耦合器件(CCD)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)。 在图像传感器制造过程中，可以使用离子注入在衬底中形成光电二极管。随着光 电二极管尺寸减小以便增加像素数目而不增加芯片尺寸，光接收部的面积也减小，由此导 致图像质量降低。 而且，由于堆叠高度的减小没有与光接收部的面积的减小一样多，所以由被称为艾里斑(airy disk)的光衍射导致入射至光接收部的光子数目也减少。 作为克服该限制的替代方案，已经尝试使用非晶硅(Si)形成光电二极管或使用诸如晶片-至-晶片接合的方法在硅(Si)衬底中形成读出电路以及在所述读出电路上和/或上方形成光电二极管(称为三维(3D)图像传感器)。光电二极管通过金属互连与读出电路连接。 在根据相关技术的3D图像传感器的制造中，由于读出电路的互连和光电二极管 之间的接触不良，所以难以实施位于芯片上部的光电二极管和在硅衬底处形成的读出电路 单元之间的晶片_至_晶片之间的对准和难以确保欧姆接触。 根据相关技术...
【技术保护点】
一种图像传感器，包括：在第一衬底中的读出电路；在所述第一衬底上并电连接至所述读出电路的互连；在所述互连上的图像感测器件；和在像素边界处电连接所述图像感测器件和所述互连的插塞。
【技术特征摘要】
KR 2008-10-14 10-2008-0100582一种图像传感器，包括在第一衬底中的读出电路；在所述第一衬底上并电连接至所述读出电路的互连；在所述互连上的图像感测器件；和在像素边界处电连接所述图像感测器件和所述互连的插塞。2. 根据权利要求1所述的图像传感器，还包括在所述图像感测器件的所述像素边界处 的第二导电型离子注入器件隔离区，其中所述插塞穿过所述第二导电型离子注入器件隔离区电连接至所述互连。3. 根据权利要求2所述的图像传感器，还包括在所述第二导电型离子注入器件隔离区中的第一导电型第一离子注入区域；禾口 电连接所述图像感测器件和所述第一导电型第一离子注入区域的第一导电型第二离 子注入区域，其中所述插塞穿过所述第一导电型第一离子注入区域。4. 根据权利要求1所述的图像传感器，还包括 在所述第一衬底处并电连接至所述读出电路的电结区；在所述电结区和所述互连之间的用于电连接所述互连和所述电结区的第一导电型连接。5. 根据权利要求4所述的图像传感器，其中所述读出电路包括晶体管，其中所述电结 区设置于所述晶体管的源极处...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈喜成，俞在炫，金钟玟，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。