图像传感器及其制造方法技术

本发明专利技术实施方案提供一种图像传感器及其制造方法。图像传感器包括读出电路、层间电介质、互连和图像感测器件。所述互连包括下部阻挡金属和在下部阻挡金属之下形成的氮化物阻挡物。穿过氮化物阻挡物，形成电连接下部阻挡金属至下部互连的接触塞阻挡物。

【技术实现步骤摘要】

^/>开内容涉及图像传感器和其制造方法。背景冲支术图像传感器是用于将光学图像转化为电信号的半导体器件。图像传感器可大致分为电荷耦合器件(CCD)图像传感器和互#^属氧化物半导体(CMOS )图像传感器(CIS )。在图像传感器的制造过程中，可以使用离子注入在衬底中形成光电二极管。由于光电二极管尺寸减小以4更增加像素数目而不增加芯片尺寸，因此光接收部分的面积也减小，由此导致图像质量降低。而且，由于堆叠高度的减小与光接收部分的面积的减小的程度不一样，所以由被称为艾里斑(Airy disk)的光衍射导致/^射至光接收部分的光子数目也减少。作为克服该限制的替代方案，已经尝试使用非晶硅(Si)形成光电二极管或使用诸如晶片-至-晶片^的方法在硅(Si)衬底中形成读出电路以及在所述读出电路上和/或上方形成光电二极管(称为三维(3D)图像传感器，，)。光电二极管通过金属互连与读出电路连接。在相关技术中，光电二极管和读出电路通过金属线进行连接。金属线通常包括阻挡金属以防止金属腐蚀。例如，当阻挡金属包含Ti/TiN结构时，下部阻挡金属的Ti没有完全地发生反应并作为钛而余留。然而，余留的Ti可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器，包括：　在第一衬底上的读出电路；　在所述第一衬底上的层间电介质；　在所述层间电介质中并电连接至所述读出电路的互连；和　在所述互连上并通过所述互连电连接至所述读出电路的图像感测器件，　其中所述互连 包括：　下部阻挡金属；和　在所述下部阻挡金属之下形成的氮化物阻挡物。

【技术特征摘要】
KR 2008-9-11 10-2008-00896861.一种图像传感器，包括在第一衬底上的读出电路；在所述第一衬底上的层间电介质；在所述层间电介质中并电连接至所述读出电路的互连；和在所述互连上并通过所述互连电连接至所述读出电路的图像感测器件，其中所述互连包括下部阻挡金属；和在所述下部阻挡金属之下形成的氮化物阻挡物。2. 根据权利要求l所述的图像传感器，其中所述互连还包括 穿过所述氮化物阻挡物的接触塞； 在所述下部阻挡金属上的金属层；和 在所述金属层上的上部阻挡金属。3. 根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述下部阻挡金属形成在所 述接触塞和所述氮化物阻挡物上并与所述接触塞和所述氮化物阻挡物接4. 根据权利要求1所述的图像传感器，还包括在所述第一衬底中并电连 接所述互连至所述读出电路的电结区。5. 根据权利要求4所述的图像传感器，其中所述读出电路在晶体管的源 极和漏极之间具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪志勋，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]