【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种炉盖，尤其涉及一种直拉法制备单晶硅炉的炉盖。
技术介绍
直拉法提拉硅单晶是目前生产单晶硅应用最广泛的技术，在直拉法工艺中将高纯 度的多晶硅装进石英坩埚，由负载高频波的环绕线圈或电流加热器来加热石英坩埚以使多 晶硅熔化。然后把一特定晶向的硅单晶(称作籽晶)与熔融硅接触，硅在合适的温度下将顺 着已知晶向的籽晶上硅原子的排列结构在固液交界面上形成规则的结晶，成为单晶体。在 结晶的同时将籽晶向上提升，当籽晶体长大至接近目标直径时，改变提升速度，使单晶体等 径生长。直至大部分硅熔液都结晶成硅晶锭，只剩少量剩料，通过调整晶体的提升速度和熔 液温度将晶体直径渐渐减小而形成一个尾形锥体，当锥体的尖足够小时，晶体就会和熔体 分离，最后完成硅单晶生长的全过程。 为了避免硅在高温下氧化，单晶硅炉必须在惰性气氛下操作。惰性气体流可以对 单晶表面进行保护，使硅单晶免于各种金属杂质和气体杂质原子的污染；还可以带走硅单 晶结晶时放出的热量，促进单晶硅的生长。石英坩埚在高温且惰性气氛下容易脱氧生成一 氧化硅，一氧化硅以气态形式进入保护气体(保护气体为惰性气体)气流排出长晶炉，...
【技术保护点】
一种直拉硅单晶炉炉盖，包括设置在炉盖（１）顶部的进气口（２），其特征在于：在炉盖（１）下方、进气口（２）的边缘连接有挡流装置（３）。
【技术特征摘要】
一种直拉硅单晶炉炉盖，包括设置在炉盖(1)顶部的进气口(2)，其特征在于在炉盖(1)下方、进气口(2)的边缘连接有挡流装置(3)。2. 根据权利要求l所述的直拉硅单晶炉炉盖，其特征在于所述挡流装置(3)为挡流板 或挡流筒。3. 根据权利要求2所述的直拉硅单晶炉炉盖，其特征在于所述挡流板为上宽下窄的弧 形面板。4. 根据权利要求2所述的直拉硅单晶炉炉盖，其特征在于所述挡流筒为锥形筒。5. 根据权利要求2或3所述的直拉硅单晶炉炉盖，其特征在于所述挡流板至少为2个， 且沿进气口 (2)的圆周对称分布。6. 根据权利要求l所述的直拉硅单晶炉炉盖，其特征在于所...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘彬国，张呈沛，何京辉，
申请(专利权)人：晶龙实业集团有限公司，宁晋晶兴电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：13[中国|河北]
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