【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种直拉硅单晶炉,尤其是一种改进的用切克劳斯基法(直拉法)生长硅单晶的直拉硅单晶炉。
技术介绍
直拉法提拉硅单晶是目前生产单晶硅应用最广泛的技术,在直拉法工艺中将高纯度的多晶硅装进石英坩埚,由负载高频波的环绕线圈或电流加热器来加热石英坩埚以使多晶硅熔化。然后把一特定晶向的硅单晶(称作籽晶)与熔融硅接触,硅在合适的温度下将顺着已知晶向的籽晶上硅原子的排列结构在固液交界面上形成规则的结晶,成为单晶体。在结晶的同时将籽晶向上提升,当籽晶体长大至接近目标直径时,改变提升速度,使单晶体等径生长。直至大部分硅熔液都结晶成硅晶锭,只剩少量剩料,通过调整晶体的提升速度和熔液温度将晶体直径渐渐减小而形成一个尾形锥体,当锥体的尖足够小时,晶体就会和熔体分离,最后完成硅单晶生长的全过程。 单晶硅生长过程,在高温状态下,石英坩埚发生脱氧或者熔融硅和石英坩埚发生反应,都会产生大量一氧化硅挥发物,该挥发物容易附着在热场元件的内壁上,与热场元件如石墨坩埚、石墨套筒、石墨保温层发生反应,造成对热场元件的侵蚀,价低其使用寿命。另外若一氧化硅随惰性气体流排出长晶炉,进入抽真空机械系统,附着在管道内壁或进去机械泵,则需要花费大量的时间进行清洗,加重机械泵的磨损程度,縮短其使用寿命。目前已有技术中已经解决了第一个问题,即把导气口设置在单晶硅炉的上部位置,在排气时改气体下行为气体上行,使热场元件免受挥发物的侵蚀,从而提高了热场元件的寿命,但是对于第二个问题却一直没有得到解决。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是通过在导气口处增加储离槽,使气体中的有害杂质附着在储离槽中,达到方 ...
【技术保护点】
一种改进的直拉硅单晶炉,包括:带有炉口(1)的炉盖(2),炉壁(3),炉壁(3)内设置有石英坩埚(5)和石墨加热保温装置(6、7、8)及其配套的废气流的疏导通道(9),疏导通道(9)通过设置在石墨保温层(8)上端的导气口(11)和内部热场相连通,炉壁(3)上设有与外部抽气系统相连的排气孔(10);其特征在于:上述导气口(11)内侧设有储离槽(12)。
【技术特征摘要】
一种改进的直拉硅单晶炉,包括带有炉口(1)的炉盖(2),炉壁(3),炉壁(3)内设置有石英坩埚(5)和石墨加热保温装置(6、7、8)及其配套的废气流的疏导通道(9),疏导通道(9)通过设置在石墨保温层(8)上端的导气口(11)和内部热场相连通,炉壁(3)上设有与外部抽气系统相连的排气孔(10);其特征在于上述导气口(11)内侧设有储离槽(12)。2. 根据权利要求1所述的改进的直拉硅单晶炉,其特征在于所述储离槽由储离槽内挡 板(121)、储离槽外挡板(122)和槽底(123)组成。3. 根据权利要求2所述的改进的直拉硅...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘彬国,张呈沛,何京辉,
申请(专利权)人:晶龙实业集团有限公司,宁晋晶峰电子材料有限公司,
类型:发明
国别省市:13[中国|河北]
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