【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种生产中对工艺质量进行质量控制的方法，具体地说是一种有效控制用直拉工艺制备单晶硅的工艺中碳含量的控制方法。
技术介绍
直拉法生长出的无位错单晶硅是目前国内外大规模集成电路的主要材料。由于直拉法所使用的单晶硅炉是由石英坩埚和石墨热系统组成，因此制备出的单晶硅通常包含有1 50X1016atOmS/Cm3的杂质碳，通常比人为控制晶体的导电类型和导电能力而掺入的杂质磷或硼的浓度高出约1 2个数量级，其中单晶硅尾部碳浓度最高。众所周知，碳的存在对于单晶硅有害而无益。例如，碳的存在会影响硅单晶中晶格参数的变化，进而影响单晶硅的电阻率；高的碳含量会损害单晶硅的晶格完整性，导致PN结特性变坏。随着碳含量的增加，半导体器件的退化现象加快，击穿电压下降，器件的成品率下降。 关于碳含量的问题一直是半导体单晶硅的一个难题，很早就有人开始对其进行研究。但是随着大规模集成电路的不断发展，对单晶硅的纯度和结晶完整性的要求越来越严格，因此控制单晶硅中碳含量的任务也越来越紧迫。 中国专利公开号为CN 1824848A的专利提供了一种通过调节惰性气体流流量的方法以达到控制硅单晶碳...
【技术保护点】
一种有效控制单晶硅中碳含量的方法，其特征在于包括以下步骤： １）测量并详细记载清楚所采用每种原材料的碳含量Ｃ↓［ｉ］，准确测量每种原材料的重量Ｍ↓［ｉ］； ２）按照公式Ｃ＝（Ｃ↓［１］×Ｍ↓［１］＋Ｃ↓［２］×Ｍ↓［２］＋Ｃ↓［３］×Ｍ↓［３］……）×０．０７／ρＭ配制原料，使所配原料碳含量≤１０×１０↑［１６］ａｔｏｍｓ／ｃｍ↑［３］； 其中：Ｃ为所配原料的碳含量，Ｃ↓［１］、Ｃ↓［２］、Ｃ↓［３］……为每种原材料的碳含量，Ｍ↓［１］、Ｍ↓［２］、Ｍ↓［３］……为对应不同碳含量Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３……的原材料的质量，０．０７为分凝系数，ρ为硅的密度，Ｍ为所配原料的总量；...
【技术特征摘要】
一种有效控制单晶硅中碳含量的方法，其特征在于包括以下步骤1)测量并详细记载清楚所采用每种原材料的碳含量Ci，准确测量每种原材料的重量Mi；2)按照公式C＝(C1×M1+C2×M2+C3×M3……)×0.07/ρM配制原料，使所配原料碳含量≤10×1016atoms/cm3；其中C为所配原料的碳含量，C1、C2、C3……为每种原材料的碳含量，M1、M2、M3……为对应不同碳含量C1、C2、C3……的原材料的质量，0.07为分凝系数，ρ为硅的密度，M为所配原料的总量；3)将所配原料放入单晶硅炉内，加热熔融提拉单晶硅；4)测量所拉制的单晶硅的顶端、中部及尾端的碳含量，将单晶硅上碳含量＞10×1016atoms...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘彬国，张呈沛，何京辉，
申请(专利权)人：晶龙实业集团有限公司，宁晋晶兴电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：13[中国|河北]
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