硅单晶的制造方法、硅单晶提拉装置以及石英玻璃坩埚制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种硅单晶的制造方法及硅单晶提拉装置，进行硅熔融液的渗出监视及籽晶的触液检测，并且实现可耐长时间提拉的石英玻璃坩埚的强化及硅单晶的杂质浓度的降低。本发明专利技术的硅单晶的制造方法包括如下步骤：使安装在导线１８的前端的籽晶与石英玻璃坩埚１４内的硅熔融液２１接触，并且一面施加使坩埚侧为负极、使导线侧为正极的电压Ｖ１，一面监视该电压的变化，由此检测籽晶的触液状态；在其后的温度调整期间内，施加使坩埚侧为正极、使导线侧为负极的电压Ｖ２，由此使石英玻璃坩埚１４的内表面失透；及在温度调整期间结束后，一面施加使坩埚侧为负极、使导线１８侧为正极的电压Ｖ３，一面缓缓提拉籽晶，由此使硅单晶成长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种硅单晶的制造方法及硅单晶提拉装置，尤其涉及一种用以检测硅 熔融液的渗出及籽晶的触液的电压施加方法。另外，本专利技术涉及一种采用所述电压施加方 法的硅单晶提拉所使用的石英玻璃坩埚。
技术介绍
作为半导体器件用硅单晶的制造方法之一，众所周知有直拉法(Czochralski method, CZ法)。CZ法中，在石英玻璃坩埚内将硅原料熔融，将籽晶浸渍于所获得的硅熔融 液中，一面使坩埚及籽晶相对旋转，一面缓缓提拉籽晶而使单晶成长。为了制造半导体器件 用的高纯度的硅单晶，要求不因石英玻璃坩埚中所包含的杂质的溶出等而污染硅单晶，且 石英玻璃坩埚也需要可耐长时间提拉的充分的耐热性。另外，硅单晶的制造中在长时间的操作中确保安全性成为重要的课题。例如，专利 文献1中揭示了检测硅单晶提拉装置中的硅熔融液的渗出的方法。该技术是在包括支撑石 英玻璃坩埚的导电性的支撑体、及保持籽晶的导电性的吊持件的装置中，对支撑体与吊持 件之间施加额定电压，获取支撑体与吊持件之间所流通的电流或电阻的变化，由此检测硅 熔融液的漏出。另外，专利文献2中揭示了如下技术通过间歇性地施加用以侦测渗出的电 压，来抑制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅单晶的制造方法，其特征在于包括如下步骤：　　使安装在提拉轴的前端的籽晶与石英玻璃坩埚内的硅熔融液接触，并且一面施加使所述石英玻璃坩埚侧为负极、使所述提拉轴侧为正极的第１电压，一面监视该电压的变化，由此检测所述籽晶的触液状态；　　从所述籽晶触液后在一定期间即所述硅熔融液的温度调整期间内，施加使所述石英玻璃坩埚侧为正极、使所述提拉轴侧为负极且绝对值大于所述第１电压的第２电压，由此使所述石英玻璃坩埚的内表面失透；及　　在所述温度调整期间结束后，一面施加使所述石英玻璃坩埚侧为负极、使所述提拉轴侧为正极且绝对值小于所述第２电压的第３电压，一面缓缓提拉所述籽晶，由此使硅单晶成长。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：福井正德，渡边英树，高濑伸光，
申请(专利权)人：日本超精石英株式会社，胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP