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本发明公开了一种改进的直拉硅单晶炉炉盖，包括设置在炉盖顶部的进气口，该炉盖下方、进气口的边缘处连接有挡流装置。挡流装置以合理角度插入或采用活动铰链连接于炉盖上。生长单晶硅过程用利用该改进的直拉硅单晶炉炉盖可以达到保护单晶表面免于污染，促进硅...该专利属于晶龙实业集团有限公司;宁晋晶兴电子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶龙实业集团有限公司;宁晋晶兴电子材料有限公司授权不得商用。