【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体存储装置，并更具体地，涉及闪存装置。
技术介绍
存在对于能够在甚至没有电源的情况下仍保持它们存储的数据的电可擦除和可 编程半导体存储装置的增长的需求。另外，存在对于高容量半导体存储装置的需求。闪存 装置可在甚至没有电源的情况下仍提供高容量，并甚至当它们的电源被中断时仍保持它们 存储的数据。为此原因，闪存装置已广泛用于其电源可突然中断的电子装置(例如，便携式 电子装置)中。 半导体存储装置已增加了容量。容量与半导体存储装置的集成密度成比例。根据 所谓Hwang定律，半导体存储装置已每年在密度上加倍，S卩，可制造显著更高容量半导体 存储装置。然而，随着由通信网络的发展导致的主动数据交换的增加，对于增加数据容量的 需求正在增长。所以可期望提供甚至更高密度的半导体存储装置来满足这些容量需求。
技术实现思路
本专利技术的一些实施例提供了一种闪存装置，包括第一存储单元串，包括多个串联 连接的存储单元、以及被配置为将所述串联连接的存储单元耦接到位线的第一和第二串联 连接的伪晶体管；和第二存储单元串，包括多个串联连接的存储单元、以及被配置为将所述 串联连接的...
【技术保护点】
一种闪存装置，包括：第一存储单元串，包括多个串联连接的存储单元、以及被配置为将所述串联连接的存储单元耦接到位线的第一和第二串联连接的伪晶体管；和第二存储单元串，包括多个串联连接的存储单元、以及被配置为将所述串联连接的存储单元耦接到位线的第一和第二串联连接的伪晶体管，其中所述第一和第二存储单元串的第一伪存储单元具有与第一伪字线共同连接的栅极并具有不同的阈值电压，并且其中所述第一和第二存储单元串的第二伪存储单元具有与第二伪位线共同连接的栅极并具有不同的阈值电压。
【技术特征摘要】
KR 2008-10-20 102536/08一种闪存装置，包括第一存储单元串，包括多个串联连接的存储单元、以及被配置为将所述串联连接的存储单元耦接到位线的第一和第二串联连接的伪晶体管；和第二存储单元串，包括多个串联连接的存储单元、以及被配置为将所述串联连接的存储单元耦接到位线的第一和第二串联连接的伪晶体管，其中所述第一和第二存储单元串的第一伪存储单元具有与第一伪字线共同连接的栅极并具有不同的阈值电压，并且其中所述第一和第二存储单元串的第二伪存储单元具有与第二伪位线共同连接的栅极并具有不同的阈值电压。2. 根据权利要求1的闪存装置，其中该第一存储单元串的第一伪存储单元和该第二存 储单元串的第二伪存储单元具有大于预定电压的阈值电压，并且其中该第一存储单元串的第二伪存储单元和该第二存储单元串的第一伪存储单元具有小于预定电压的阈值电压。3. 根据权利要求2的闪存单元装置，其中该第一存储单元串的第一伪存储单元和该第 二存储单元串的第二伪存储单元具有正阈值电压，并且其中该第一存储单元串的第二伪存 储单元和该第二存储单元串的第一伪存储单元具有负阈值电压。4. 根据权利要求1的闪存装置，还包括控制电路，被配置为控制伪存储单元的阈值电压。5. 根据权利要求4的闪存装置，其中该控制电路被配置为擦除所述第一和第二存储单 元串的第一和第二伪存储单元，并其后对所述第一和第二存储单元串的第一和第二伪存储 单元进行选择性编程。6. 根据权利要求1的闪存装置，其中该第一存储单元串还包括被配置为将该第一存储 单元串的串联连接的存储单元连接到第一公共源极线的第一地选择晶体管，并且其中该第 二存储单元串还包括被配置为将该第二存储单元串的串联连接的存储单元连接到第二公 共源极线的第二地选择晶体管。7. 根据权利要求6的闪存装置，还包括控制电路，被配置为分别向第一伪字线、第二伪 字线、和第一公共源极线施加编程电压、导通电压和地电压，以对该第一存储单元串的第一 伪晶体管进行编程。8. 根据权利要求6的闪存装置，还包括控制电路，被配置为分别向第一伪字线、第二伪 字线、和第二公共源极线施加导通电压、编程电压和地电压，以对该第 二存储单元串的第二 伪晶体管进行编程。9. 根据权利要求6的闪...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜明坤，朴起台，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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