【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光二极管装置，且特别涉及一种具有大致均勻电极分布的发光 二极管装置及其形成方法。
技术介绍
发光二极管装置是以较低的耗电特性取代传统光源而被广泛的应用。特别是，随 着氮化镓(GaN)发光二极管的发展，包括散发出高照度的蓝或绿光、完整色彩的发光二极 管显示、白光发光二极管以及用于交通号志灯的发光二极管被引进于市场中。然而，相较于 传统光源而言，发光二极管装置需要更精确的电流与热管理。举例而言，蓝宝石的低热传导 性通常会产生高连续热电阻于发光二极管装置中。覆晶式发光二极管装置的发展是为了提高现有的发光二极管装置的散热与电流 分布。举例而言，覆晶式发光二极管装置可包括一表面黏着型基板，其例如是一硅基板，以 提升热传导性，特别是在高功率的应用中。此外，在覆晶式发光二极管中的发光二极管芯 片的布局通常设计为提高热扩散与分布。举例而言，由于发光二极管芯片的布局设计，因 此P电极的图案化金属线与n电极的图案化金属线被利用以作为传导电流。此外，p电极 与n电极通常配置环绕发光二极管芯片的侧表面，或着，P电极与n电极配置于一共同区域 (common area)...
【技术保护点】
一种半导体，包括：一透光层，具有一第一表面；一第一掺杂层，形成于该透光层的该第一表面上，其中该第一掺杂层具有多个形成于其上的第一型金属电极；一第二掺杂层，形成于该透光层的该第一表面上，其中该第二掺杂层具有多个形成于其上的第二型金属电极；以及一主动层，形成于该透光层的该第一表面上，且配置于该第一掺杂层与该第二掺杂层之间，其中所述多个第一型金属电极与所述多个第二型金属电极交替排列，且每一该第一型金属电极与其相邻的所述多个第二型金属电极之间的距离相等。
【技术特征摘要】
US 2009-4-10 12/422,027一种半导体，包括一透光层，具有一第一表面；一第一掺杂层，形成于该透光层的该第一表面上，其中该第一掺杂层具有多个形成于其上的第一型金属电极；一第二掺杂层，形成于该透光层的该第一表面上，其中该第二掺杂层具有多个形成于其上的第二型金属电极；以及一主动层，形成于该透光层的该第一表面上，且配置于该第一掺杂层与该第二掺杂层之间，其中所述多个第一型金属电极与所述多个第二型金属电极交替排列，且每一该第一型金属电极与其相邻的所述多个第二型金属电极之间的距离相等。2.根据权利要求1所述的半导体，其中该第一掺杂层、该第二掺杂层以及该主动层皆 是由一 III-V族化合物半导体材料所构成。3.根据权利要求2所述的半导体，其中该第一掺杂层为一n型氮化镓层，该第二掺杂层 为一 P型氮化镓层。4.根据权利要求1所述的半导体，其中电流均勻分布于每一该第一型金属电极。5.根据权利要求1所述的半导体，其中电流均勻分布于每一该第二型金属电极。6.根据权利要求1所述的半导体，其中介于电极对的该第一型金属电极与该第二型金 属电极之间的电位差相同。7.根据权利要求6所述的半导体，其中每一该第一型金属电极具有一第一相同电位， 且每一该第二型金属电极具有一第二相同电位。8.根据权利要求1所述的半导体，还包括一形成于该第一掺杂层上的第一金属线路 径，以连接至少二该第一型金属电极，以及一形成于该第二掺杂层上的第二金属线路径，以 连接至少二该第二型金属电极。9.根据权利要求1所述的半导体，其中该每一该第一型金属电极的面积与每一该第二 型金属电极的面积相同。10.根据权利要求1所述的半导体，其中该半导体为一发光二极管。11.根据权利要求1所述的半导体，其中该透光层包括一蓝宝石基板。12.根据权利要求1所述的半导体，其中该主动层包括至少一多重量子井。13.一种覆晶式发光二极管封装结构，包括一封装基板；以及一发光二极管装置，包括一透光层，具有一第一表面与一相对于该第一表面的第二表面；一第一掺杂层，形成于该透光层的该第一表面上，其中该第一掺杂层具有多个形成于 其上的第一型金属电极；一第二掺杂层，形成于该透光层的该第一表面上，其中该第二掺杂...
【专利技术属性】
技术研发人员：许晋源，
申请(专利权)人：亿光电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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