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半导体及半导体的形成方法与覆晶式发光二极管封装结构技术
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文档序号:4131401
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本发明提供一种半导体及半导体的形成方法与覆晶式发光二极管封装结构。其中半导体可包括一具有一第一表面的透光层;半导体可还包括一形成于透光层的第一表面上的第一掺杂层;第一掺杂层可具有多个形成于其上的第一型金属电极;半导体可还包括一形成于透光层的...
该专利属于亿光电子工业股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过亿光电子工业股份有限公司授权不得商用。
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