【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种led芯片制备方法及led芯片。
技术介绍
1、微型发光二极管(micro led)的优势在于既继承了无机led的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，又具有自发光无需背光源的特性，体积小、轻薄，还能轻易实现节能的效果。micro led最大的优势都来自于它具有微米等级的间距，每一点画素都能定址控制及单点驱动发光。比起其他led，发光效率上，目前micro led最高，且还在大幅提升空间；发光能量密度上，micro led最高，且还有提升空间。前者，有利于显示设备的节能，其功率消耗量约为lcd的10％、oled的50％；后者则可以节约显示设备有限的表面积，并部署更多的传感器，目前的理论结果是，micro led和oled比较，达到同等显示器亮度，只需要后者10％左右的涂覆面积。
2、垂直结构的微型发光二极管芯片是制备微型发光二极管的基础，micro led显示屏的像素面积受micro led芯片尺寸的制约，micro led芯片尺寸越小，屏的像素密度越大，屏的亮度越高，显示效果越佳。因此，如何有效控制芯片尺寸，制备更小尺寸的led芯片，成为亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种led芯片制备方法及led芯片，旨在解决如何制备更小尺寸led芯片的技术问题。
2、一种led芯片制备方法，包括：
3、提供带有外延层的衬底，所述外延层包括依次层叠在衬底上的第一半导体
4、于所述第二半导体层上光刻多个保护图形，多个所述保护图形间隔设置，且相邻的所述保护图形之间形成露出所述第二半导体层的第一区；
5、将所述第二半导体层的第一区刻蚀损伤；
6、去除所述保护图形，形成露出所述第二半导体层的第二区；
7、于所述第二半导体层的第二区上制作第一电极；
8、台阶化并刻蚀第二半导体层至第一半导体层背离所述衬底的一面，并形成多个阵列的发光单元；
9、于所述第一半导体层背离衬底的一面制作第二电极。
10、上述led芯片制备方法，通过提供带有外延层的衬底，外延层包括依次层叠在衬底上的第一半导体层、发光层和第二半导体层，于第二半导体层上光刻多个间隔设置的保护图形，相邻的保护图形之间形成露出第二半导体层的第一区，将第一区刻蚀损伤，去除保护图形后形成露出第二半导体层的第二区，并在第二区上制作第一电极，台阶化并刻蚀第二半导体层至第一半导体层，并于第一半导体层上制作第二电极；本专利技术利用第二半导体层的部分区域刻蚀损伤，以阻挡电流传导，可起到对芯片最终尺寸的限制，从而制备更小尺寸的led，进而使micro led屏幕的像素间距更小，显示效果更佳。
11、可选地，所述保护图形在衬底上的投影面积小于所述发光单元在衬底上的投影面积。如此，能够方便地通过保护图形的尺寸限定发光单元的尺寸。
12、可选地，所述发光单元的宽度范围为2～10微米，所述保护图形的宽度范围为1～5微米，所述保护图形的厚度范围为0.5～2微米，相邻所述保护图形之间的缝宽为0.5～3微米。
13、可选地，于所述第二半导体层上光刻多个保护图形，多个所述保护图形间隔设置，且相邻的所述保护图形之间形成露出所述第二半导体层的第一区，包括：
14、以正胶光刻多个所述保护图形，多个所述保护图形在所述第二半导体层上阵列排布。
15、上述led芯片制备方法，通过在第二半导体层上以正胶光刻多个保护图形，且各个保护图形在第二半导体层上阵列排布，可以方便快速地在第二半导体层上形成多个间隔设置的保护图形，并在相邻保护图形之间形成露出第二半导体层的第一区。
16、可选地，将所述第二半导体层的第一区刻蚀损伤，包括：
17、干法刻蚀所述第二半导体层的第一区以形成阻电层，所述干法刻蚀的刻蚀气体包括氯气或氯化硼；所述刻蚀损伤的深度范围为100～2000a。
18、上述led芯片制备方法，通过干法刻蚀第二半导体层的第一区，可以方便快速地将所述第二半导体层的第一区进行刻蚀损伤。
19、可选地，所述阻电层的厚度小于所述第二半导体层的厚度。
20、如此，能够通过阻电层，即蚀刻损伤的第二半导体，在通电时候无法传输电流，从而限定了芯片的尺寸大小。
21、可选地，于所述第二半导体层的第二区上制作第一电极，包括：
22、于所述第二半导体层的第二区上以负胶光刻第一电极图形，并蒸镀形成第一电极。
23、上述led芯片制备方法，通过在第二半导体层的第二区上采用负胶光刻第一电极图形，并采用蒸镀和剥离金属去胶的方式，可以方便快速地在第二半导体层的第二区上形成第一电极。
24、可选地，台阶化并刻蚀第二半导体层至第一半导体层背离所述衬底的一面，包括：
25、于所述第二半导体层上光刻台阶化图形，并干法刻蚀所述第二半导体层至第一半导体层背离所述衬底的一面；所述干法刻蚀的刻蚀气体包括氯气或氯化硼。
26、上述led芯片制备方法，通过在第二半导体层上光刻台阶化图形，利用台阶化图形对第二半导体层进行干法刻蚀，且从第二半导体层刻蚀至第一半导体层，可方便快速地露出第一半导体层。
27、可选地，于所述第一半导体层背离衬底的一面制作第二电极，包括：
28、于所述第一半导体层背离衬底的一面以负胶光刻第二电极图形，并蒸镀形成第二电极。
29、上述led芯片制备方法，通过在第一半导体层上采用负胶光刻第二电极图形，并采用蒸镀和剥离金属去胶的方式，可以方便快速地在第一半导体层上形成第二电极。
30、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种led芯片，所述led芯片采用如上所述的led芯片制备方法制得。
31、上述led芯片，通过所述led芯片制备方法制备，能够获得更小尺寸的led芯片，进而使micro led屏幕的像素间距更小，显示效果更佳。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种LED芯片制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述保护图形在衬底上的投影面积小于所述发光单元在衬底上的投影面积。
3.如权利要求2所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述发光单元的宽度范围为2～10微米，所述保护图形的宽度范围为1～5微米，所述保护图形的厚度范围为0.5～2微米，相邻所述保护图形之间的缝宽为0.5～3微米。
4.如权利要求1所述的LED芯片制备方法，其特征在于，于所述第二半导体层上光刻多个保护图形，多个所述保护图形间隔设置，且相邻的所述保护图形之间形成露出所述第二半导体层的第一区，包括：
5.如权利要求1所述的LED芯片制备方法，其特征在于，将所述第二半导体层的第一区刻蚀损伤，包括：
6.如权利要求5所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述阻电层的厚度小于所述第二半导体层的厚度。
7.如权利要求1所述的LED芯片制备方法，其特征在于，于所述第二半导体层的第二区上制作第一电极，包括：
8.如权利要求1所述的LED芯片制备方法
9.如权利要求1所述的LED芯片制备方法，其特征在于，于所述第一半导体层背离衬底的一面制作第二电极，包括：
10.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片采用如权利要求1-9中任一项所述的LED芯片制备方法制得。
...【技术特征摘要】
1.一种led芯片制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的led芯片制备方法，其特征在于，所述保护图形在衬底上的投影面积小于所述发光单元在衬底上的投影面积。
3.如权利要求2所述的led芯片制备方法，其特征在于，所述发光单元的宽度范围为2～10微米，所述保护图形的宽度范围为1～5微米，所述保护图形的厚度范围为0.5～2微米，相邻所述保护图形之间的缝宽为0.5～3微米。
4.如权利要求1所述的led芯片制备方法，其特征在于，于所述第二半导体层上光刻多个保护图形，多个所述保护图形间隔设置，且相邻的所述保护图形之间形成露出所述第二半导体层的第一区，包括：
5.如权利要求1所述的led芯片制备方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：戴广超，马非凡，赵永周，王子川，黄兆斌，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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