【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基板处理装置，更详细地说，涉及对于多个基板执行热处理的基板处理装置。
技术介绍
1、通常，基板处理装置是指在由工艺腔室形成的密封的处理空间利用工艺气体及适当的温度环境对于基板执行沉积、蚀刻及热处理等的基板处理的装置。
2、尤其是，热处理是为了对于在诸如用于制造半导体、平板显示屏及太阳能电池的硅晶片或者玻璃的基板上沉积的预定薄膜改善结晶化、相变等薄膜特性而执行。
3、代表性的热处理工艺有为了形成ltps(低温多晶硅)或者柔性基板而在基板上形成并固化聚酰亚胺的过程，ltps是利用多晶硅在玻璃基板形成tft，以制造诸如amoled的高品质显示屏。
4、另外，所述热处理工艺可包括在制造液晶显示屏或者薄膜型结晶硅太阳能电池的情况下将在基板上沉积的非晶硅结晶成多晶硅的工艺。
5、以往的基板处理装置为，为了对于以垂直方向导入的多个基板执行热处理，在处理空间内通过以与工艺气体喷射方向平行设置的多个加热棒对于基板执行加热。
6、另一方面，近来随着基板的大型化，喷射的工艺气体的流量也大幅度增加，出现加重温度偏差的问题，尤其是，存在相对低温的工艺气体下降导致最下部侧的温度均匀度降低的问题。
7、更具体地说，处理空间内最下部因为与内壁侧相邻且相对低温的工艺气体下降而出现大量的热损失，而且相比于通过上升的热气流进行适当的温度补偿的上部侧也没有适当的温度补偿，因此按位置加重温度偏差的问题。
8、尤其是，处理空间最下部侧为，以设置具有长度的加热棒的工艺气体喷
9、即，如图1所示，以往的基板处理装置为，以与设置在腔室10内的加热棒的长度方向相同的方向形成工艺气体气流，在此加上由上下温度差引起的工艺气体的流动，以加热棒的长度方向按各个位置出现温度差，但是无法按加热棒的长度方向控制温度，因此存在加重温度偏差的问题。
技术实现思路
1、要解决的问题
2、为了解决如上所述的问题，本专利技术的目的在于提供可改善温度偏差的一种基板处理装置。
3、解决问题的手段
4、本专利技术是为了达到如上所述的本专利技术的目的而提出的，本专利技术公开了一种基板处理装置，包括：工艺腔室100，形成处理空间，所述处理空间为将多个基板1沿着垂直方向相互间隔配置来进行处理；第一加热部200，配置多个所述第一加热部200，对应于多个所述基板1中的一部分，在所述处理空间以水平的第一方向相互平行；第二加热部300，配置多个所述第二加热部300，对应于多个所述基板1中的剩余一部分，在所述处理空间中以与所述第一方向交叉的水平的第二方向相互平行。
5、所述第二加热部300可配置在所述第一加热部200的下部。
6、对于所述第一加热部200，可以是分别对应于以垂直方向配置的所述基板1中的一部分各配置多个所述第一加热部200。
7、所述第二加热部300可配置在多个所述基板1中位于最下端的基板1的下部。
8、所述第一方向可与所述第二方向相互垂直。
9、所述第二加热部300能够以所述第一方向相互间隔相同间距配置。
10、所述第一加热部200可横穿所述工艺腔室100的两侧面。
11、所述第二加热部300可横穿所述工艺腔室100的前后面。
12、所述基板处理装置可包括加热器支撑部件700，所述加热器支撑部件700配置在所述工艺腔室100底面来支撑所述第二加热部300。
13、所述第二加热部300为，一端贯通所述工艺腔室100后面，而另一端可间隔于前面。
14、所述工艺腔室100为，在前面形成有开口部101，用于导入所述基板1；所述第二加热部300为，一端贯通所述工艺腔室100后面，而另一端可贯通所述工艺腔室100前面中的所述开口部101的下侧。
15、所述基板处理装置还可包括辅助加热部400，所述辅助加热部400分别设置成在所述处理空间中在与所述工艺腔室100的两侧面相邻的位置与所述第二加热部300平行。
16、所述第二加热部300可配置在所述辅助加热部400之间，所述辅助加热部400配置在所述工艺腔室100的两侧内侧面。
17、所述辅助加热部400与所述第二加热部300之间的第一距离d1可大于所述第二加热部300之间的第二距离d2。
18、所述基板处理装置可包括：供气部500，配置在所述工艺腔室100的一侧壁，以所述第一方向喷射工艺气体；排气部600，配置在所述工艺腔室100的另一侧壁，排放所述处理空间内工艺气体。
19、所述基板处理装置包括控制部，所述控制部独立控制多个所述第二加热部300各个的发热量；所述控制部可控制多个所述第二加热部300中的至少一部分的发热量与剩余部分的相互不同。
20、多个所述第二加热部300为，可从所述工艺腔室100一侧壁侧向另一侧壁侧依次形成分别被所述控制独立控制的第一控制组310、第二控制组320、第三控制组330及第四控制组340。
21、所述控制部可控制所述第二控制组320的发热量大于所述第一控制组310的发热量。
22、所述控制部可控制所述第四控制组340的发热量大于所述第一控制组310的发热量。
23、所述控制部可控制所述第二控制组320及所述第四控制组340的发热量大于所述第一控制组310及所述第三控制组330的发热量。
24、专利技术的效果
25、本专利技术的基板处理装置具有可改善处理空间内最下部侧的温度偏差的优点。
26、尤其是，本专利技术的基板处理装置为，可对于处理空间内最下部侧的工艺气体喷射方向的各个点进行温度控制，具有可提高温度均匀度的优点。
27、另外，本专利技术的基板处理装置为，具有对于处理空间内最下部侧，根据温度分布能够以工艺气体喷射方向及其垂直方向自由设定加热器的优点。
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1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
14.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
15.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，包括：
16.根
17.根据权利要求16所述的基板处理装置，其特征在于，
18.根据权利要求17所述的基板处理装置，其特征在于，
19.根据权利要求17所述的基板处理装置，其特征在于，
20.根据权利要求17所述的基板处理装置，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
11.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏文浩，
申请(专利权)人：圆益IPS股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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