基板处理装置制造方法及图纸

技术编号:41263695 阅读:20 留言:0更新日期:2024-05-11 09:20
本发明专利技术涉及一种基板处理装置,更详细地说,涉及对于多个基板执行热处理的基板处理装置。本发明专利技术公开了一种基板处理装置,包括:工艺腔室(100),形成处理空间,所述处理空间为将多个基板(1)沿着垂直方向相互间隔配置来进行处理;第一加热部(200),配置多个所述第一加热部(200),对应于多个所述基板(1)中的一部分,在所述处理空间以水平的第一方向相互平行;第二加热部(300),配置多个所述第二加热部(300),对应于多个所述基板(1)中的剩余一部分,在所述处理空间中以与所述第一方向交叉的水平的第二方向相互平行。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基板处理装置,更详细地说,涉及对于多个基板执行热处理的基板处理装置。


技术介绍

1、通常,基板处理装置是指在由工艺腔室形成的密封的处理空间利用工艺气体及适当的温度环境对于基板执行沉积、蚀刻及热处理等的基板处理的装置。

2、尤其是,热处理是为了对于在诸如用于制造半导体、平板显示屏及太阳能电池的硅晶片或者玻璃的基板上沉积的预定薄膜改善结晶化、相变等薄膜特性而执行。

3、代表性的热处理工艺有为了形成ltps(低温多晶硅)或者柔性基板而在基板上形成并固化聚酰亚胺的过程,ltps是利用多晶硅在玻璃基板形成tft,以制造诸如amoled的高品质显示屏。

4、另外,所述热处理工艺可包括在制造液晶显示屏或者薄膜型结晶硅太阳能电池的情况下将在基板上沉积的非晶硅结晶成多晶硅的工艺。

5、以往的基板处理装置为,为了对于以垂直方向导入的多个基板执行热处理,在处理空间内通过以与工艺气体喷射方向平行设置的多个加热棒对于基板执行加热。

6、另一方面,近来随着基板的大型化,喷射的工艺气体的流量也大幅度增加,出现本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基板处理装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,

6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,

7.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,

8.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,

9.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,包括:

10.根据权利要求9所...

【技术特征摘要】

1.一种基板处理装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,

6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,

7.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,

8.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,

9.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,包括:

10.根据权利要求9所述的基板处理装置,其特征在于,

11.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员:魏文浩
申请(专利权)人:圆益IPS股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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