【技术实现步骤摘要】
本公开大体上涉及集成电路(ic)装置和其制造方法。
技术介绍
1、将不同的集成电路(ic)结构堆叠在彼此之上允许将更多半导体部件提供于特定覆盖区内。然而，随着管芯大小变得越来越紧凑，更多部件挤聚于更小装置中所引起的寄生效应会影响ic电路的性能。例如，焊料凸块现在直接在有源半导体区域上方移动，并且由焊料凸块产生的寄生电容会影响ic电路的性能。因此，需要隔离技术来减少在同一区域上提供更多部件的寄生效应。
技术实现思路
1、在一些实施例中，一种集成电路(ic)装置包含：第一有源半导体层，其包含第一有源半导体装置区；第一后段(back end of line，beol)，其定位在所述第一有源半导体层上；第一导电结构，其集成于所述第一beol中并且连接到所述第一有源半导体部件中的至少一者；第二有源半导体层，其包含第二有源半导体部件；第二beol，其定位在所述第二有源半导体层上，其中第二导电结构集成于所述第二beol中并且连接到所述第二有源半导体部件中的至少一者，其中所述第二导电结构电连接到所述第一导...
【技术保护点】
1.一种集成电路IC装置，包括：
2.根据权利要求1所述的IC装置，另外包括混合接合层，其中第三导电结构集成到所述混合接合层中，其中：
3.根据权利要求2所述的IC装置，另外包括第一埋置氧化物层、富陷阱层和处理层，所述第一有源半导体层定位在所述第一埋置氧化物层上，所述富陷阱层定位在所述第一埋置box层上，并且所述第一处理层定位在第一陷阱层上。
4.根据权利要求3所述的IC装置，其中第二处理层未提供于所述IC装置中。
5.根据权利要求3所述的IC装置，另外包括第二埋置氧化物层和氮化硅层或二氧化硅层，其中：
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【技术特征摘要】
1.一种集成电路ic装置，包括：
2.根据权利要求1所述的ic装置，另外包括混合接合层，其中第三导电结构集成到所述混合接合层中，其中：
3.根据权利要求2所述的ic装置，另外包括第一埋置氧化物层、富陷阱层和处理层，所述第一有源半导体层定位在所述第一埋置氧化物层上，所述富陷阱层定位在所述第一埋置box层上，并且所述第一处理层定位在第一陷阱层上。
4.根据权利要求3所述的ic装置，其中第二处理层未提供于所述ic装置中。
5.根据权利要求3所述的ic装置，另外包括第二埋置氧化物层和氮化硅层或二氧化硅层，其中：
6.根据权利要求5所述的ic装置，另外包括第二钝化层和第三钝化层，其中：
7.根据权利要求6所述的ic装置，另外包括导电通孔，所述导电通孔延伸穿过所述第一钝化层、所述第二钝化层和所述第三钝化层，使得所述导电通孔将所述第二重布层连接到所述第一重布层。
8.根据权利要求1所述的ic装置，另外包括：
9.根据权利要求8所述的ic装置，其中所述焊料凸块至少部分地对准在所述第一有源半导体层和所述第二有源半导体层上方。
10.根据权利要求1所述的ic装置，另外包括一个或多个第一栅电极，所述一个或多个第一栅电极定位在所述第一有...
【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔·卡罗尔，E·K·博尔顿，M·S·阿索伊，罗希，D·C·克尔，邱继贤，
申请(专利权)人：QORVO美国公司，
类型：发明
国别省市：
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