具有泄漏反射器的BAW谐振器制造技术

技术编号:40547250 阅读:26 留言:0更新日期:2024-03-05 19:05
本公开涉及一种体声波(BAW)谐振器,其包含:底部电极、具有边界环(BO)结构的顶部电极结构、夹在所述底部电极与所述顶部电极之间的压电层,以及具有嵌入在低声阻抗区中的高声阻抗层的反射器。在本文中,所述BO结构围绕所述顶部电极结构的周边形成且界定所述BAW谐振器的BO区。所述高声阻抗层竖直地位于所述底部电极之下,且通过所述低声阻抗区的第一部分与所述底部电极隔开。第一高声阻抗层的宽度小于所述顶部电极结构的宽度,使得所述第一高声阻抗层不完全延伸穿过所述BAW谐振器的所述BO区。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种体声波(baw)谐振器,且具体来说涉及一种具有边界环(bo)结构和泄漏反射器的baw谐振器。


技术介绍

1、声谐振器,尤其是体声波(baw)谐振器用于许多高频通信应用中。具体来说,baw谐振器通常用于在高于1.5千兆赫(ghz)的频率下操作且需要平坦通带的滤波器网络中,在通带的上端和下端具有异常陡峭的滤波器裙边(filter skirt)和方肩,且在通带外部提供出色的排斥。基于baw的滤波器还具有相对较低的插入损失,大小随着操作频率增加而趋于减小,且在宽温度范围内相对稳定。因此,基于baw的滤波器是许多第3代(3g)和第4代(4g)无线装置的首选滤波器,且旨在主导第5代(5g)无线装置的滤波器应用。这些无线装置中的大多数支持在同一无线装置上的蜂窝、无线保真度(wi-fi)、蓝牙和/或近场通信,且因此提出了极具挑战性的滤波需求。虽然这些需求不断地增加了无线装置的复杂性,但始终需要改进baw谐振器和基于baw的滤波器的性能,以及减小与其相关联的成本和大小。


技术实现思路

1、本公开涉及一种具有边界环本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种体声波(BAW)谐振器,其包括:

2.根据权利要求1所述的BAW谐振器,其中所述BO结构具有单阶梯配置。

3.根据权利要求2所述的BAW谐振器,其中所述BO结构包含围绕所述BO区的外周边形成的介电BO环和围绕所述BO区的内周边形成的环过渡区段。

4.根据权利要求1所述的BAW谐振器,其中所述BO结构具有双阶梯配置。

5.根据权利要求1所述的BAW谐振器,其中:

6.根据权利要求4所述的BAW谐振器,其中:

7.根据权利要求5所述的BAW谐振器,其中:

8.根据权利要求5所述的BAW谐振器,其中:<...

【技术特征摘要】

1.一种体声波(baw)谐振器,其包括:

2.根据权利要求1所述的baw谐振器,其中所述bo结构具有单阶梯配置。

3.根据权利要求2所述的baw谐振器,其中所述bo结构包含围绕所述bo区的外周边形成的介电bo环和围绕所述bo区的内周边形成的环过渡区段。

4.根据权利要求1所述的baw谐振器,其中所述bo结构具有双阶梯配置。

5.根据权利要求1所述的baw谐振器,其中:

6.根据权利要求4所述的baw谐振器,其中:

7.根据权利要求5所述的baw谐振器,其中:

8.根据权利要求5所述的baw谐振器,其中:

9.根据权利要求1所述的baw谐振器,其中所述第一高声阻抗层未延伸到所述baw谐振器的所述bo区中,且所述第一高声阻抗层的周边边缘与所述bo结构的外周边边缘之间的宽度差与所述baw谐振器的所述bo区的宽度相同。

10.根据权利要求1所述的baw谐振器,其中所述第二高声阻抗层的宽度小于所述顶部电极结构的所述宽度,使得所述第二高声阻抗层不完全延伸穿过所述baw谐振器的所述bo区。

11.根据权利要求10所述的baw谐振器,其中:

12.根据权利要求11所述的baw谐振器,其中所述bo结构具有单阶梯配置。

13.根据权利要求11所述的baw谐振器,其中...

【专利技术属性】
技术研发人员:A·塔切克M·J·莫德雷斯扎德T·贝尔
申请(专利权)人:QORVO美国公司
类型:发明
国别省市:

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