半导体器件制造技术

技术编号:40547251 阅读:18 留言:0更新日期:2024-03-05 19:05
一种半导体器件包括第一低噪声放大器(LNA)、第二LNA、第一接收电路和第二接收电路、以及射频多路选择器。第一LNA连接到第一接收端口,并且第二LNA连接到与第一接收端口不同的第二接收端口。第一接收电路包括第一变压器并且对第一LNA和第二LNA的一个或更多个输出进行处理。第二接收电路对第一LNA和第二LNA的输出中的一个或更多个输出进行处理。射频多路选择器控制第一LNA和第二LNA与第一接收电路和第二接收电路之间的连接。第一接收电路包括具有第一端和第二端的第一可变电容器,该第一端连接到射频多路选择器的输出并且该第二端连接到第一变压器。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种半导体器件


技术介绍

1、已经在通信设备的接收器中引入了载波聚合(ca)以提高数据传输速率。在使用ca的情况下,因为其中将若干个信号频带同时组合起来使用的带宽(bw)被加宽,所以可以一次传输的数据量增加,因此可以增加数据传输速率。

2、因为分配给每个国家或每个国家的每个通信公司的频带彼此不同,所以通信设备的接收器应当支持各种频带中的所有频带。为此,通信设备的接收器可以根据所需的ca组合和载波分量(cc)特性来确定用于处理信号的接收端口的数目和接收电路的数目,然后可以将接收端口与接收电路连接以执行信号处理。

3、在这种情况下,因为信号处理质量可以根据接收端口与接收电路之间的连接状态而变化,所以需要研究以改善信号处理质量。


技术实现思路

1、一个方面是提供一种具有改进的信号处理性能的半导体器件。

2、根据一个或更多个实施例的一些方面,提供了一种半导体器件,所述半导体器件包括:第一低噪声放大器(lna),所述第一lna连接到第一接收端口;第二lna,所述第二lna本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件,所述半导体器件包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一接收电路还包括第一混频器,并且

3.根据权利要求2所述的半导体器件,其中,所述第一接收电路还包括:

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一可变电容器的电容基于由所述第一接收电路处理的信号的频带而改变。

5.根据权利要求4所述的半导体器件,其中,所述第一接收电路还包括第一混频器,并且所述第一可变电容器的电容基于输入到所述第一混频器的本地振荡器信号而改变。

6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一接收电路还包括第二可变电...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件,所述半导体器件包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一接收电路还包括第一混频器,并且

3.根据权利要求2所述的半导体器件,其中,所述第一接收电路还包括:

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一可变电容器的电容基于由所述第一接收电路处理的信号的频带而改变。

5.根据权利要求4所述的半导体器件,其中,所述第一接收电路还包括第一混频器,并且所述第一可变电容器的电容基于输入到所述第一混频器的本地振荡器信号而改变。

6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一接收电路还包括第二可变电容器,所述第二可变电容器被配置为对所述第一变压器的调谐范围进行调整并且连接在所述第一变压器的输出端之间。

7.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一接收电路还包括第二可变电容器,所述第二可变电容器被配置为对所述第一变压器的调谐范围进行调整,所述第二可变电容器具有连接到所述第一变压器的第一端和接地的第二端。

8.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一可变电容器包括:

9.根据权利要求8所述的半导体器件,其中:

10.根据权利要求9所述的半导体器件,其中,所述第一接收电路还包括第一混频器,并且

11.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,当所述射频多路...

【专利技术属性】
技术研发人员:裵廷烈李钟洙金德洙梁义凤
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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